Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 223 224 225 226 227 228 229... 423 424 425
|
|
|
|
материале может быть проведен иа основе решения кинетических уравнений. Для простого чистого материала, в котором можно пренебречь кластерообразованием, кондентрации вакансий и атомов внедрения определяются следуюц;ими уравнениями: ~^==K-~RCjO,~e.DZ,;(8.1) (8.2) В приведенных соотношениях R — коэффициент рекомбинации; — плотность стоков; — коэффициент диффузии дефектов. Определение ЭТИХ величин можно найти, например, в [8]. Достаточно показать, что приведенные уравнения легко разрешимы относительно концентрация точечных дефектов и, следовательно, позволяют определить коэффициент самодиффузии облучаемого металла. К нему следует добавить коэффициент диффузии, связанной с термически генерируемыми вакансиями. Концентрация термически генерируемых атомов внедрения в металлах ничтожно мала. Суммарный коэффициент радиационно-стимулированной самодиффузии может быть приближенно записан в виде [9] /Лад-^^А + А-С,.(8.3) На Рйс. 8.1 приведена температурная зависимость коэффициента радиационно-стимулированной самодиффузии Ni, а также ко^ эффициента диффузии, обусловленного термически генерируемыми вакансиями. Под действием облучения диффузионная подвижность может возрастать на несколько поряцков. Приведенные на рисунке ланные соответствуют равновесным значениям концентраций дефектов, а насыщение концентрации вакансий при низких температурах не учитывается. Эти, а также ряд других усложняющих анализ факторов рассмотрены ниже. Коэффициент самодиффузии Срад. определяемый уравнением {8,3), обнаруживает известное явление Скейлинта как только концентрация дефектов достигает равновесного состояния. Изменение Орад в зависимости от температуры или дозы зависит от того, ка Рис. 8Л. Средние значения коэффициента радиационно-стимулированной самодиффузии в пленке нйкеля толщиной 500 А (кривая 2), Скорость накопления дефектов, рассчи-тайная по уравнениям для скоростей из [Щ, равнялась 1-10-^ см/(атом-с). Плотность стоков предполагалась равной 10^^ см-^. Приведенная кривая соответствует идеальному случаю, если пренебречь насыпхением кондентра-дии вакансий и температурной зависимостью коииентраіінн дефектов пдн низкой температуре: J — зависимости для коэффициента термической диффузии; 5 — значения коэффициента диффузии, обусловленного баллистическим недемешнваннш '900 т т ZQQ too 2М 15 JM 225
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 223 224 225 226 227 228 229... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
