Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 221 222 223 224 225 226 227... 423 424 425
|
|
|
|
Глава 8. Перераспределение примеси и стабильность выделений: влияние точечных дефектов Л. Д. Марвик, Исследовательский центр фирмы IBM, г. Иоркта-ун-Хайтс, штат Нью-Йорк. По материалам: X. Видерзих 8.1. Введение Ионная имплантация или бомбардировка, проведенная для модификации поверхности, вызывает радиационные повреждения. При столкновениях с налетаюпхими частицами атомы смещаются из узлов кристаллической решетки, что приводит к образованию точечных дефектов. Если температура достаточно высока, дефекты могут перемещаться. Миграция дефектов делает возможной диффузию атомов. В этой главе изучается диффузия атомов, обусловленная точечными радиационными дефектами. Основное различие между процессами, вызванными дефектами т. е. такими, в которых миграция дефектов играет важную роль) и вызванными непосредственно смещением атомов (например, каскадное перемешивание), заключается в том, что первые являются термически активируемыми. Следовательно, представляется полезным термодинамический подход, хотя применять его следует осторожно. Облучаемый при повышенной температуре сплав весьма далек от равновесного состояния, однако имеющиеся данные показывают, что образующиеся фазы известны из равновесной фазовой диаграммы [1]. Вместе с тем были обнаружены фазы, появление которых не следует из среднего состава сплава и температуры облучения. Причинами являются обсуждаемый ниже дрейф растворенных атомов и изменение состава микрообъемов материала, 8.2,Механизмы В этом разделе дан обзор механизмов переноса примесных атомов при облучении. Примесные атомы могут быть введены при их имплантации или содержаться в исходном сплаве. Ионная имплантация неизбежно вызывает радиационные повреждения, а в ряде случаев облучение проводится специально с целью создания дефектов строения. Чаще ионная имплантация проводится при комнатной или умеренной температуре. Возможность изменять поверхностные свойства, не прибегая к высокотемпературной обработке^ является важным преимуществом. К сожалению, большинство имеющихся сведений о металлургических изменениях, вызванных ра 223
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 221 222 223 224 225 226 227... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
