Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 219 220 221 222 223 224 225... 423 424 425
|
|
|
|
7.7. Заключение Несмотря на трудности в разработке количественных основ для оценки явления энергетических пиков все же можно сделать несколько важных выводов* энергетические пики существуют — они появляются всякий раз, как только плотность запасенной внутри каскада энергии 0 достигает ^ 1 эВ/атом; время охлаждения пика tq достаточно велико для перехода из кристаллического в состояние переохлажденной жидкости и в некоторых случаях для заметного испарения (распыления); значение 10-^2 с слишком мало для заметного перемешивания благодаря диффузии; выбор коэффициента температуропроводности D является ключевой проблемой, поскольку tq обычно короче, чем время установления равновесия между температурами в электронной и атомной подсистемах; теоретические оценки не дают хороших количественных значений для многих величин. в заключение следует подчеркнуть, что настоящая глава в основном посвящена специфическому энергетическому режиму, а именно: энергетическим пикам, имеющим место в каскадах с высокой плотностью запасенной энергии, когда линейная теория каскадов столкновений неприменима В случае более низких плотностей энергии ситуация гораздо лучше, т. е количественные оценки повреждений при имплантации, эффектов распыления и баллистического перемешивания можно проводить на основе хорошо известной линейной теории каскадов столкновений СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1Baglin J. (1981), Report at the Trevi Institute on Surface Modification and Alloying 2Lindhard J., Scharff M,, Schiott H. E. (1963a), Kgl Danske Vid Selsk Mat. fys Medd 33, No 14 3Lindhard J., Nielsen V., Scharff M., Thomson P. V. (1963b), Kgl Danske Vid. Selsk Mat fys Medd 33, No 10 4Winterbon K. В., Sigmund P., Sanders J. B. (1970), Kgl Danske Vid Selsk. Mat fys Medd 37, No 14 5Winterbon K. В (1975), Ion Implantation Range and Energy Distribution, Vol 2, Low Energy (Plenum Press, New York) 6Sigmund P. (1969), Appl Phys Lett, 14, 114 7Walker R. S., Thompson D. A. (1978), Pad Effects 37, 1ГЗ 8Sigmund P. (1974), Appl Phys, Lett 25, 169 (+ an erratum correction in 27, 52) 9Winterbon K. B. (1981), 20 p computer printout 10Andersen H. H. (1979), Appl Phys 18, 131 11Tsaur B. Y, Matteson S., Chapman G., Liau Z. L, Nicolet M. A. (1979), Anpl. Phys Lett 35, 825 12Littmark U, Hofer W. O. (1980a), Nucl Instr Meth 168, 329 13Littmark U., Hofer W. O. (1980b), Nucl Instr Meth 170, 177 14Littmark U. (1981), Report at the Trevi Institute on surface Modification and Alloying 221
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 219 220 221 222 223 224 225... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
