Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 19 20 21 22 23 24 25... 423 424 425
|
|
|
|
совершенств строения решетки на эрозию поверхности при распылении (естественную или радиационно-стимулированную). Хотя фасетки на поверхностях обычно образуются при больших дозах легирования (10^^ см-^), поверхности с коническими выступами часто наблюдаются, когда с самого начала на поверхности присутствуют примеси или когда они непрерывно вводятся в процессе имплантации. Этот метод введения примесей во время имплантации является надежным средством получения поверхностных конусов, а их плотность в определенной степени может контролироваться интенсивностью источника примесей и температурой мишени. Такие поверхности, однако, стабильны при продолжительном облучении лишь до тех пор, пока действует источник примесей (например, совместное распыление или испарение). При бомбардировке монокристаллов, образованных атомами одного элемента, ионами инертного газа или при самоимплантации возникает иная ситуация: образуюи;иеся структуры сильно зависят от взаимной ориентации пучка и решетки и остаются стабильными до тех пор, пока не изменятся условия облучения. Конические выступы обладают хорошо выраженными чертами кристаллического строения й по этой причине часто похожи на пирамиды. На рис. 1,9 показана превосходная пирамидальная структура, образуюш^аяся на поверхности меди при облучении ионами аргона. Однако чаще всего топография поверхности монокристалла представляет собой набор фасеток и гребешков, расположение которых определяется подповерхностной сеткой дислокаций. Сильная корреляция между структурой поверхности и ориентацией пучка р4 -^ч. 4 f ^ 14^. I и гл и 16 /л 1,2 1.0 06 Ш ( ня * ш ) \ о * , □ • оЮкзВ □ 80ю8 • ___СЬ______ 1 1 ( 200 ^00 600 600 h,A Рис I 9. Пирамидальная структура поверхности монокристалла меди, образо-вавшаяся вследствие облучения ионами аргона энергией 40 кэВ [6] Рис. 1Л0 Равновесные профили отношения концентраций С атомов платины и кремния при облучении поверхности сплава Pt—Si ионами аргона различной энергией f7] 21
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 19 20 21 22 23 24 25... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
