Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 211 212 213 214 215 216 217... 423 424 425
|
|
|
|
энергетических пиков могут часто играть заметную роль, особенно в мишенях с высокими значениями z2, такими, как золото и платина. Необходимо подчеркнуть, что в этом разделе рассматривались только эффекты, прямо вытекающие из процесса каскада столкновений: баллистическое (каскадное) перемешивание и (при больших 0) эффекты энергетических пиков. Конечно, во многих системах дополнительные и часто гораздо большие вклады в перемешивание могут давать эффекты последействия, такие, как радиационно-стимулированная диффузия. Важность этих температурно-зависимых эффектов будет обсуждаться в гл. 8—10. 7.5. Экспериментальные примеры эффектов пиков В разд. 7.3 показано, что соответствующие условия — низкая энергия и высокий атомный номер — могут привести к высоким значениям 0 (несколько электрон-вольт на атом и даже выше) во внутренней части каскада столкновений. Перед обсуждением сложного вопроса о процессах последующего быстрого охлаждения, включающих малые (10...100А) каскады, рассмотрим ряд экспериментальных примеров, в которых эффекты пиков играют заметную роль. Концепция термических пиков — достаточно старая дискуссионная тема и последние 25 лет широко исследуемая экспериментально. Во многих случаях в последующих работах для объяснения результатов привлекаются и другие понятия. В последние годы эффекты пиков получили достаточно серьезное подтверждение в трех различных типах экспериментов. 7.5.1. Радиационные дефекты в полупроводниках при имплантации В имплантированных полупроводниках, таких, как Si и Ge, наблюдаемый уровень повреждений Nd при низких температурах может быть почти на порядок выше, чем предсказывается из линейной теории каскадов, особенно для ионов с высокими Z, таких, как Т1 (рис. 7.12). Отметим, что высокоэнергетическая часть каждой кривой имеет примерно такой же наклон, как и линия Л^к. п, это указывает на то, что скорость образования дефектов при высокой энергии хорошо согласуется с теорией каскадов столкновений и что увеличение Nd всецело обусловлено низкоэнергетической частью каждого ионного трека, в которой плотность запасенной энергии очень высока. Обратный наклон {dv(E)/dNd) кривой на рис. 7.12 определяется эффективной энергией, необходимой для образования смещенного атома. Очевидно, что при высоких v{E) она должна соответствовать пороговой энергии смещения Ed (14 эВ для Si), поэтому все кривые становятся примерно параллельными линии Л'^к.п . Однако при низких v{E) и высоких Zi (т. е. больших значениях 0), обратный наклон заметно уменьшается; в случае Т1 наклон 213
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 211 212 213 214 215 216 217... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
