Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 209 210 211 212 213 214 215... 423 424 425
|
|
|
|
необходимо предположить наличие некой релаксации значений плотности. Простая модель была предложена в работе [12], в ко* торой предполагается, что кристаллическая решетка релаксируег к постоянному значению плотности, как показано на рис. 7.8. В действительности решетка вряд ли полностью достигает начальных значений плотности, следовательно, шкала глубин, выраженная в единицах длины (ангстремах), зависит от особенностей выбранной модели релаксации. Необходимо подчеркнуть, что, если шкала глубин выражается как число атомов на единицу площадв (см-^), влияние эффектов релаксации незначительно. В экспериментах по распылению обычно используются пучки^. имеющие сравнительно низкую энергию, такую, что пробег иона меньше, чем глубина залегания слоя маркированных (помеченных) атомов. В этом случае каскадное перемешивание атомов матрицы и маркированных атомов смещает положение пика маркированных атомов в сторону меньших глубин значительнее, чем при уче^ те только распыления (рис. 7.9). В то же время из слоя маркированных атомов образуется неболь-^ шой, но глубоко распространяющийся "хвост". Соответствующее количество распыленных помеченных атомов в зависимости от глу 300 х,А Рис. 7.8. Распределение по глубине х различных помеченных слоев до и после применения поправки на релаксацию постоянной плотности. Глубина dx^ определяет материал, удаленный распылением [И] Рис. 7.9. Результирующие профили помеченных слоев (заштрихованы) при увеличивающейся толщине Xs кремния, удаленных распылением ионов аргона энергией 5 кэВ: ~~ профиль запасенной энергии отдачи, обусловленной ядерными энергетическими потерями V (£) [141; S — поверхность; храсстояние от поверхности 2П
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 209 210 211 212 213 214 215... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
