Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 202 203 204 205 206 207 208... 423 424 425
|
|
|
|
безразмерных единицах Томаса — Ферми [2] —отношение радиуса экранирования Томаса — Ферми а к расстоянию наименьшего сближения b при неэкранированном столкновении, когда ^-=0,8853^0 [zT'\'Zy^f^; где йо — боровский радиус; е —заряд электрона; Е — начальная энергия налетающего иона. Такая энергетическая шкала имеет два преимущества. Во-первых, она дает возможность представить Sn (и другие величины, такие, как многократное рассеяние, распыление и образование дефектов) в виде полууниверсальной кривой для всех комбинаций Zi и Z2 (см. рис. 7.2). Во-вторых, она позволяет корректно разделить почти все случаи ионной бомбардировки на два различных режима: ионной имплантации и ядерного микроанализа. Режим ионной имплантации (режим 1): є^ІО (Zi4). Тяжелые ионы движутся со скоростями намного меньше скорости Томаса — Ферми UoZ^/^ В этом режиме Sn и Se дают значительный вклад в торможение, поэтому теоретические расчеты в данном случае более сложны и менее точны, чем в режиме ядерного микроанализа. Режим 1 перекрывает интервал энергий, в котором доминируют каскадные эффекты и распыление, а поэтому ионное травление и ионно-лучевое перемешивание попадают именно в эту область. Интервал энергий представляет интерес для тех, кто занимается ионной имплантацией. Режим ядерного микроанализа (режим 2): є10 (низкие Zi). В этой области энергий Sn пренебрежимо мало {Sn^ 10~^ Se), поэтому траектории ионов практически линейны, распыление и каскадные эффекты незначительны и имеется хорошая количественная теоретическая модель, предсказывающая потери энергии и каналирование. Эта область энергий широко используется для количественных ядерно-физических методов анализа, таких, как резерфордовское обратное рассеяние и метод ядерных реакций. Максимальная общая скорость выделения энергии (Stt-bSe) сравнима в обоих режимах, и при определенных условиях, как будет показано ниже, возможно образование заметных эффектов пиков. Конечно, эти последние должны иметь, как минимум, одно основное различие в упомянутых выше энергетических областях. При очень больших значениях є в режиме 2 процессы потерь энергии почти полностью определяются электронным возбуждением и в результате пики состоят в начале из "горячих" электронов и относительно "холодных" атомов; если последующая скорость электрон-фононного взаимодействия (^ 10~^^ с) достаточно мала по сравнению со скоростью распространения теплоты, тогда атомы внутри пика останутся относительно "холодными". В режиме 1 как 5^, так Se всегда существенны и поэтому в области пика одновременно находятся "горячие" 204
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 202 203 204 205 206 207 208... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
