Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 200 201 202 203 204 205 206... 423 424 425
|
|
|
|
7.1. Обработка с высокой плотностью энергии процесс т, с h, мкм эВ/атом Отжиг: импульсный лазерный (или элек 0,5 1—2 10-7 тронный) импульсный ионный 0,1 — 1 1—2 flO-7 сканирующим микропучком 0,5 1—2 '10-7 Индивидуальный каскад столкно 0,01 10-Ї2 вений 3. При определенных параметрах пучка ионов (большой атомный номер и низкая энергия) плотность энергии в отлельном каскаде столкновений может достигать (и даже превосходить) уровень 1...2 эВ/атом. Однако радиус такого каскада столкновений очень мал (г^ 10~2 мкм), и соответствующая скорость закалки [время закалки tq = r'^l{W), где D — коэффициент температуропроводности] должна быть на много порядков больше, чем в случае импульсного (или сканирующего) облучения с высокой плотностью тока. Скорость закалки может быть даже значительно выше, чем скорость электрон-фононного взаимодействия, так что (в зависимости от природы каскада столкновений) можно иметь пик, состоящий из "горячих" атомов и "холодных" электронов или, наоборот, из "холодных" атомов и "горячих" электронов. Следовательно, можно ожидать проявления различных типов отжига, а количественное рассмотрение результатов в рамках обычной теплопроводности некорректно. Первые два метода, основанные на использовании ионных пучков для достижения высоких значений 9, приводят к условиям, аналогичным случаю импульсного лазерного отжига, описанного в данной книге, и поэтому далее обсул^даться не будут. Эта глава полностью посвящена третьему методу: детально обсудим вопрос о достижении высоких значений 9 в пределах единичного каскада столкновений и рассмотрим некоторые экспериментальные факты модификации материалов, вытекающие из теории термических пиков. Вначале обсудим некоторые общие положения каскадов столкновений, необходимые для дальнейшего рассмотрения режимов с каскадами высокой плотности. Это также необходимо для понимания других явлений, связанных с каскадами, таких, как ионное перемешивание (гл. 9), распыление (гл. 10) и перераспределение твердых растворов (гл. 8). 7.2. Каскады столкновений Важно отличать режим индивидуальных каскадов от режима перекрывающихся каскадов (рис. 7.1). При плотности тока ^ 1 мкА/см2 вблизи поверхности примерно с секундными интерва 202
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 200 201 202 203 204 205 206... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
