Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 17 18 19 20 21 22 23... 423 424 425
|
|
|
|
пробег ионов хрома равен 200 А, а разброс пробегов достаточно велик. Профиль дефектов не повторяет концентрационный профиль,, его максимум располагается ближе к поверхности. Расчет вложенной (запасенной) при образовании дефектов энергия объясняет,, почему поле разброса для выбранной комбинации ион — мишень и: данной энергии так велико: значительная часть энергии выделяется вблизи поверхности и поверхностные атомы могут быть выбиты. Как можно представить себе в микроскопическом масштабе каскад соударений? Подробно этот вопрос освещается в гл. 7. На рис. 1.7 изображена предельная форма каскада соударений, известная под названием "пик смещений". Данная схема была разработана примерно 30 лет назад и показывает, что при ионной бомбардировке, запасенная энергия локализуется в очень малом объеме. Более того, в области "пика смещений:^ нагрев (или оилавле-ние) и закалка происходят за 10"^^ с, что соответствует скоростіі закалки 10^^ К/с. Такая ситуация коренным образом отличается от рассматривавшихся ранее схем, в которых энергия передается атомам кристаллической решетки в равновесных условиях. На светлопольном электронно-микроскопическом снимке, изображенном на рис. U8, видны сильнолокализованные эффекты разрушения кристаллической решетки в каскадах соударений. Снимок соответствует случаю имплантации в кремний ионов висмута энергией 118 кэВ До дозы ионов 5-10^^ см"^. Темные области обуслов °o2oSo2oSo2o: о / oiiliilfiils: Рис, 1 6. Концентрационный профиль (7) и профиль распределения дефектов (2) при имплантации в железо ионов хрома энергией £=50 кэВ, рассчитанные по программе ТШМ с использованием универсальных значений сечений ядерного торможения, взятых из теории Зиглера и Бирсака, и значения сечений электронного торможения по теории Линдхарда —Шарфа —Шиотта. Каждая из приведенных кривых получена по результатам усреднения траекторий 500 ионов (по данным [3] и неопубликованным результатам Зиглера и Бирсака) Рис. 1.7. Пик смещений [4]: / — нормально расположенные атомы; 2—атомы внедрения; 5 — траектория имплантируемой частицы; 4 —траектория первично выбитой частицы
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 17 18 19 20 21 22 23... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
