Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 195 196 197 198 199 200 201... 423 424 425
|
|
|
|
НЫМ доказательством того, что если р2рз фаза II формируется прямо из фазы III. Эти результаты, полученные методом ионной бомбардировки, предполагают, что ионное облучение при 4 К сравнимо с закалкой из газовой фазы (см. разд. 6,4), в то время как облучение при 250 К сходно с закалкой из жидкой фазы. В одном из экспериментов "сандвич" из пленок Те—Аи был подвергнут лазерной закалке при температуре жидкого гелия. Верхний слой состоял из теллура, чтобы увеличить поглощение энергии импульса рубинового лазера и ее передачу к "сандвичу" Те—Аи, Таким методом можно было получить сверхпроводящую фазу, т. е. фазу II. Различные экспериментальные результаты для систем Tci-xAu^ можно суммировать с помощью схематической фазовой диаграммы (рис. 6.18), базирующейся на простой модели внутренней энергии (см. разд. 6.3). Равновесные фазы обозначены сплошными линиями, а метастабильные — штриховыми. Различные процессы могут быть описаны следующим образом: при закалке из газовой фазы образуется аморфная сверхпроводящая фаза I. Равенство внутренних энергий для фазы I и жидкой фазы свидетельствует о сходстве фазы I с замороженной жидкостью. При 230 К фаза I необратимо превращается в фазу II. Закалка из жидкой фазы образует простую кубическую сверхпроводящую фазу II (0,15^x^0,35) с внутренней энергией, более низкой по сравнению с энергией жидкой фазы. (Предположительно здесь могут существовать сравнимые высокотемпературные фазы или фазы высокого давления.) Метастабильная фаза II во время отжига при ^400 К необратимо превращается в равновесную фазу III. Лазерная закалка образцов при 4 К приводит к результатам, сравнимым с результатами Ее.. J ч#--ж ' г 1 ш т 1 п 230 Ш 120 Т.К Рис. 6.17. Зависимость сопротивления R пленок ТеббАиз4 от дозы ионов гелия Фне при температуре облучения 250 К и энергии ионов 100 кэВ Рис. 6.18. Схематическое представление внутренней энергии (в произвольных-. единицах) Е внут системы теллур—ЗОЛОТО в зависимости от температуры 1\ г — газ (пар); Ж — жидкость; ЗГФ — закалка из газовой фазы; ЗЖФ — закалка из жидкой фазы; //О — ионное облучение; ЛЗ — лазерная закалка 197'
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 195 196 197 198 199 200 201... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
