Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 194 195 196 197 198 199 200... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 6.16. Изменение сопротивления R пленок TcrsAu/s толщиной 1000 А после низкотемпературного облучения ионами гелия (доза облучения Фне = 8-10^^ см"^, энергия ионов ЮО кэВ) личение сопротивления. После облучения дозой менее 3-10^^ см~^ металлический характер сопротивления фазы ПІ исчезает, и образец ведет себя как полупроводниковая с|)аза I, После дозы ионов б-10^^ см~^ сопротивление возрастает на три порядка. Образец полностью превращается в адшрфную фазу I. Результирующее поведение электрического сопротивления этой аморфной фазы показано иа рмс. б.Іб в зависимости от температуры. Отжиг прерывался при температурах, обозначенных кружками, и образец охлаждался до температуры 1,1 К. Зависимость сопротивления от такого циклического изменения температуры приведена штриховыми линиями. Образец остаеіся в фазовом состоянии I вплоть до температуры отжига 230 К. Затем необратимое уменьшение сопротивления свидетельствует о фазовом переходе, который заканчивается примерно при 250 К. Небольшое отрицательное значение температурного коэффициента сопротивления dp/dr и сверхпроводящий переход указывают на то, что образовалась фаза П. Эта фаза остается стабильной до температуры ^--400 К, при которой происходит превращение в равновесную металлическую фазу ІП (dp/dT0 и рз-рг)^ Чтобы установить, возможен ли прямой фазовый переход из состояния 111 в состояние 11, облучение проводилось при 250 к. Эта температура несколько выше гшпературы презратеяш состоять I е II. На рис. 6.17 приведена зависимость сопротивления от дозы ионов гелия. Сопротивление проходит через максимум, уменьшается и достигает насыщения при величине, меньшей начального значения. Такое поведение сопротивления {р2Рз) и наличие сверхпроводящего перехода пра ^2,3 К является убедитель 196
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 194 195 196 197 198 199 200... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
