Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 193 194 195 196 197 198 199... 423 424 425
|
|
|
|
5.7. Система Te—Au. Сравнение различных неравновесных методов Ниже будет детально обсуждаться система Tei-^Au^:. поскольку для ее получения использовалось много неравновесных методов. Кроме того, эта система обладает интересными свойствами, что делает ее привлекательной для исследований, базирующихся на электрических измерениях, поскольку различные фазы имеют различные значения удельного сопротивления р и температурного коэффициента сопротивления dp/dr. В ранних работах метастабильные сплавы Tei_;,Aux были получены закалкой как из жидкой [41, 42], так и из газовой [43] фазы, причем были обнаружены следующие фазы. I.Аморфный сплав Tci-^Aux получен зйкалкой из газовой фазы. Он —полупроводник, т. е. его удельное сопротивление экспоненциально возрастает с уменьшением температуры. II. Простой кубический сплав Те^-^Аи^х: (0,15^х:^0,35) получен закалкой из жидкой фазы. Эта фаза имеет небольшой отрицательный температурный коэффициент ^ сопротивления (dp/dr0), сходный с коэффициентом металлических стекол и становится сверхпроводящей при 2,3 К. III. Равновесная фаза состоит из смеси теллура, золота и ТегАи. Эта фазовая смесь ведет себя как металл или полупроводник в зависимости от состава и сверхпроводником не является. Таким образом, различие между структурно различающимися метастабильными фазами I и II и стабильной фазой III легко установить, измеряя удельное электросопротивление и температурный коэффициент сопротивления без дополнительных структурных исследований. Это свойство облегчает сравнение результатов обработки двух других неравновесных методов: ионной бомбардировки и лазерной закалки. Первые результаты ионного облучения были описаны в работе [33], Гомогенные пленки Te75Au25 толщиной ^1000 А, содержащие равновесную металлическую фазу III, облучались при 4 К ионами гелия, полностью проходящими через образец. На рис. 6.15 показано результирующее изменение электрического сопротивления для Te75Au25 в зависи-мости от дозы облучения. За начальной ступенькой увеличения сопротивления, обусловленной разупорядоче-нием решетки, следует плавное уве R при 1,5 к, Ом Рис. 6.15. Зависимость сопротивления R HJ^enoK Te75Au25 толщи ной 1000 А от дозы при облучении ионами гелия Фне (температура облучения 3 К, энергия Ї0Н0В 100 кэВ) 195
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 193 194 195 196 197 198 199... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
