Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 191 192 193 194 195 196 197... 423 424 425
|
|
|
|
противления, проведенные эксперименты по резерфордовскому обратному рассеянию и термоциклированию во время отжига указывают, что уменьшение сопротивления не обязательно коррелирует с выделением водорода из образца и что, вероятно, водород стабилизирует другие аморфные фазы PdSi с высоким сопротивлением. Однако сверхпроводимость наблюдается только при наличии водорода в образце, что подтверждает предыдупдее объяснение для системы PdH. Все три примера показывают, что ионная имплантация или облучение может приводить к образованию "более аморфных" состояний, чем методы закалки из жидкой фазы. Это понятно, поскольку рассчитанные скорости закалки различаются на несколько порядков (например, 10^^ и 109 j^/c). 6.6. Ионное облучение и имплантация. Методы получения аморфных металлов Ниже будет проведено краткое обсуждение возможностей получения аморфных материалов ионной бомбардировкой при комнатной температуре. Как указывалось в п. 6.1, для стабилизации аморфной фазы в материале должно быть примерно 10...20% примесных атомов. Это условие сушественно не изменяется и для ионной имплантации. Для аморфизации ферромагнитных переходных металлов и сплавов, например, необходимо присутствие 15... 20% металлоидов (бора, фосфора, мышьяка или сурьмы) или 7... 107о диспрозия и гадолиния. Теоретически эти аморфные фазы могут быть объяснены в рамках моделей случайной упаковки с локальным минимумом свободной энергии, в случае ионной бомбардировки при комнатной температуре наблюдается существенное различие между полупроводниками и металлами. В полупроводниках с ковалентными направленными связями точечные дефекты неподвижны в противоположность металлам с ненаправленными связями. Поэтому можно предположить, что в полупроводниках в процессе столкновений происходит закалка, в то время как в металлах в процессе столкновений имеет место динамический возврат. В полупроводниках фазовые изменения — аморфизация должны наблюдаться при низких дозах, в то время как в металлах будет увеличиваться дефектность кристалла. В конце концов решетка металла разрушится вокруг подходящей примеси, имеющей размеры, сравнимые с размерами атомов матрицы, и аморфная фаза стабилизируется. Что касается сверхпроводников, то детальное изучение материалов, имеющих объемноцентрированную кубическую решетку, ниобия (Гс = 9,2 К) и молибдена (7с = 0,92 К) было проведено Линкером [37]. Оба металла имплантировались ионами азота, неона, фосфора и серы. В общем случае влияние имплантации на температуру перехода Тс выражалось в ее уменьшении до 2 К для нио 7-1241193
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 191 192 193 194 195 196 197... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
