Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 189 190 191 192 193 194 195... 423 424 425
|
|
|
|
ластей термических пиков. Однако эксперименты, проведенные на палладии, показывают, что для описания данных о применении метода ионных пучков необходимо учитывать дополнительные эффекты столкновений. 6.5. Закалка из жидкой фазы. Сравнение с другими неравновесными методами В последние пять лет было разработано большое число разнообразных сверхпроводящих металлических стекол [30]. Ниже бу* дут обсуждаться несколько примеров исследований с применением метода ионных пучков. 6.5.1. Система Zr—Си Обнаружено, что циркониево-медные металлические стекла являются сверхпроводящими. Хотя рентгеновские дифрактограммы выглядят "аморфными", оказалось, что низкотемпературное ионное облучение влияет только на температуру переходов Тс и удельное электросопротивление р этих металлических стекол. Из табл. 6.2 следует, что как Тс, так и р различных по составу металличе 6.2. Увеличение температуры перехода AT с/Т с и удельного сопротивления Др/р циркониево-медных металлических стекол после имплантации ионов гелия при 4 К [31] Си, % Ар/р Си, % Др/р ,26 0,39 0,068 40 0,72 0,29 30 0,43 0,10 50 0,34 0,69 as 0,51 0,28 СКИХ стекол увеличиваются после облучения гелием при 4 к [31]. Во всех случаях низкотемпературное облучение оказывает положительное влияние, т. е. при облучении система становится еще более аморфной. Подобные значения Тс можно получить при имплантации в цирконий ионов меди. На рис. 6.12 приведено изменение прироста АГс, обусловленного облучением, в зависимости от температуры отжига; во всех случаях АГс исчезает при отжиге до комнатной температуры. 0,6 \— ол 02 Рис. 6.12. Уменьшение прироста ДГс, обусловленное облучением ионами гелия при температуре 4 К, в зависимости от роста температуры отжига Tt [33] ISO Tf,K 19Г
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 189 190 191 192 193 194 195... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
