Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 188 189 190 191 192 193 194... 423 424 425
|
|
|
|
ЗО 2D 1 1 Pd 1 1 1 1 7 WO 200 T,K Рис. 6.11. Зависимость удельного сопротивле о НИЯ пленок палладия толщиной 400 А, полученных закалкой из газовой фазы, от температуры отжига: / — свеженапыленные пленки; 2 — сверхпроводящие пленки после низкотемпературного облучения ионами гелия значение Гс=3,7 К достигается при концентрации меди ^^20% [27]. И в данном случае низкотемпературное ионное облучение схоже по результа жие наблюдения были проведены для системы кремний —золото или кремний— медь, когда сверхпроводящие аморфные фазы были получены закалкой из газовой фазы [28] и низкотемпературной ионной имплантацией [27]. Эти различные примеры показывают, что существует сильное сходство между фазами, полученными закалкой из газовой фазы, и с помощью пучков тяжелых ионов. Какой из названных методов наиболее подходит для реализации сверхпроводимости, т. е. для достил^ения высокой степени разупорядочения решетки, зависит от особенностей материала. До настоящего времени имеется только один пример — палладий, когда оба неравновесных метода дают различные результаты. Закаленный из газовой фазы палладий имеет высокое начальное сопротивление и не является сверхпроводящим. Отжиг приводит к уменьшению степени разупорядочения решетки и уменьшению удельного электросопротивления (кривая 1 на рис. 6.11). Отжиг прерывался для того, чтобы обнаружить сверхпроводимость при различных значениях удельного сопротивления р; выше 0,1 К признаков сверхпроводимости обнаружено не было. Конечно, сверхпроводимость (Тс^3,2 К) пленок палладия может быть всегда получена при облучении ионами гелия при 4 К [29]. Кривая отжига таких облученных пленок показана на рис. 6.11 линией 2. Температурная зависимость этой кривой и другие признаки позволяют предложить следующую интерпретацию: только ионное облучение может выбить атомы палладия в междоузлия кристаллической решетки; закалка же из газовой или жидкой фазы не приводит к появлению межузельных атомов, поскольку это энергетически невыгодно. Можно полагать, что межузельные атомы палладия являются причиной возникновения наблюдаемой сверхпроводимости. Недавние эксперименты показывают, что чувствительность во время имплантации уменьшается примерно в 25 раз и это находится в согласии с предположением о присутствии межузельных атомов палладия. Предшествующие эксперименты указывают, что действие низкотемпературного облучения тяжелыми ионами может быть понято, если предположить возможность протекания быстрой закглки об 190
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 188 189 190 191 192 193 194... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
