Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 187 188 189 190 191 192 193... 423 424 425
|
|
|
|
фазы. При имплантации кислорода в бериллиевые пленки при 4 К достигнуто значение Тс = 9 КВ данном случа^^ эксперименты были начаты на образцах сильно разупорядоченного материала с Тс^ ^7 КИх результаты показывают, что применение низкотемпературного ионного облучения дает фазы бериллия, сравнимые с фазами, полученными закалкой из газовой фазы. Индий является другим примером материала, у которого величина Тс возрастает при разупорядочении реіпетки. В работе [23J проведено сравнение результатов закалки из газовой фазы и низкотемпературного ионного облучения. Данньіе сравнения приведены на рис. 6.10, где показана зависимость Тс пленки индия от концентрации имплантированных при 2К ионов индия. Исследовались пленки индия, находящиеся в различных начальных состояниях: отожженные с Гс = 3,6 К (кривая 2) и закаленные из газовой фазы, микрокристаллические с Гс = 4,35 К (кривая 7). Низкотемпературная имплантация ионов индия прріводит к увеличению' Тс отожженных пленок с ростом концентрации имплантированных ионов. При 1,2% имплантированного индия Тс достигает значения,, полученного при закалке из газовой фазы и продолжает возрастать с увеличением дозы имплантации. Температура Тс пленок, закаленных из газовой фазы, после некоторого начального уменьшения также возрастает при низкотемпературной ионной имплантации. Результаты в обоих случаях свидетельствуют о том, что низкотемпературная ионная имплантация приводит к образованию более разупорядоченных фаз, чем закалка из газовой фазы и при этом достигаются более высокие скорости заі^^алки. Недавно Хоф-манн и др. [24] обнаружили, что разные дозы ионов аргона по-разному влияют на р и Тс отожженных пленок индия. Влияние более высоких доз объясняется стабилизирующим эффектом перераспределения примеси кислорода. Еще одним примером сравнения ионной имплантации при 4 К и закалки из газовой фазы является система германий—^медь. Если испаренный германий конденсируется на подложку при комнатной температуре, образуется фаза аморфная относительно дальнего порядка. Конечно, расположение ближайших соседей остается таким же, как и в кристалле германия (алмазная решетка). Следовательно, "аморфная" фаза имеет такую же зависимость сопротивления от температуры, как полупроводник. В противоположность этому, аморфный германий, полученный закалкой из. газовой фазы с добавкой примерно 20% медИ для стабилизации, ведет себя как металл и становится сверхпроводящим при 3,3 К (GesoCuso) [25]. Эта металлическая аморфная фаза имеет упаковку жидкого германия, т. е. состояние замороженной жидкости [26], когда каждый атом германия отдает четыре свободных электрона в зону проводимости. Подобное, похожее на жидкость, аморфное состояние германия также можно получить имплантацией меди при 4 К и облучением пленок GesoCuso при 4 К криптоном. В обоих случаях более высокое по сравнению с закалї^ой из газовой фазы 189^
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 187 188 189 190 191 192 193... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
