Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 186 187 188 189 190 191 192... 423 424 425
|
|
|
|
пературном ионном облучении (4 К) обозначено на простой фазовой диаграмме (см. рис. 6.7) жирными стрелками. Описание не рассматривает промежуточного высокотемпературного состояния внутри области термического пика, 6.4.2. Бериллий, индий, система Ge—Си Ниже будут обсуждаться в основном системы непереходных металлов, для которых применимо общее правило о том, что разупо-рядочение решетки повышает поскольку a^(o))f (to) сильнее увеличивается для низких энергий (со). Интересным материалом в этом смысле является бериллий, который в кристаллическом состоянии становится сверхпроводящим только при 7с = 0,026 К. В случае сильного разупорядочения, после закалки из газовой фазы Тс увеличивается примерно до 9 К [22]. Это означает, что степень разупорядочения решетки увеличивается более чем в 300 раз. До сих пор не ясно, является ли фаза, полученная закалкой из газовой фазы, похожей на жидкость, аморфной или микрокристаллической. Делались различные попытки сравнить такое увеличение Гс при закалке из газовой фазы с данными методов низкотемпературного ионного облучения или имплантации. На рис. 6.9 приведены результаты, полученные на бериллиевых пленках, напыленных на кварцевые подложки при комнатной температуре, Свеженапыленные пленки не были сверхпроводящими выше 1,0 К, облучение же ионами криптона дозой всего 2*10^^ см~^ увеличило Гс до 1,1 к. с ростом дозы Гс увеличивается примерно до 2,5 К и почти не изменяется в интервале доз ионов 10^^... 10^^ см-2. Затем как Г^ так и сопротивление увеличиваются скачком, при этом Гс достигает максимального значения -^6 К, меньшего, однако, чем ^9 К, полученного при закалке из газовой 1,кОм Рис. 6.9. Зависимость Тс и R бериллиевых пленок от дозы облучения ионами криптона фкг при 4 к Рис. 6.10. Зависимости Тс разупорядоченных (1) и отожженных (2) пленок индия от концентрации ионов индия сіп при низкотемпературной имплантации и при энергии имплантируемых ионов: 125 кэВ (1) и 150 кэВ (2) [24] 188
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 186 187 188 189 190 191 192... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
