Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 185 186 187 188 189 190 191... 423 424 425
|
|
|
|
низких энергий по сравнению с энергией кристаллического материала. Кроме того, интенсивность электрон-фононного взаимодействия а^(со) также увеличивается. Так как Я определяется низко-энергетичной частью а^(ш)^(w), это означает, что аморфная фаза имеет более высокое значение % и, следовательно, более высокое значение Гс. В недавних экспериментах [21] авторы изучали воздействие ионного облучения на тонкие пленки галлия при 4 К. Все три фазы галлия облучались ионами аргона энергией 275 кэВ, проникающими через мишень. Облучая а-галлий, они наблюдали немедленное лревращение его в аморфную фазу, как показано на рис. 6.8, с последовательным увеличением Тс и р, которые выходили на насыщение при значениях, типичных для аморфного галлия. Низкотемпературное ионное облучение аморфных пленок галлия не изменяло аморфной фазы, р-Галлий превращался в аморфный галлий при дозах облучения ионами аргона ^10^^ см-^. Авторы полагают, что в последнем случае примесные атомы кислорода равномерно рас-пределены по объему пленки. Следовательно, аморфная фаза стабилизируется, и не наблюдается обратного быстрого превращения в метастабильную р-фазу, в которой расположение ближайших соседей очень схоже с таковыми в аморфной фазе. С другой стороны, а-галлий и аморфный галлий имеют существенно различающиеся расположения ближайших соседей. Поэтому превращение а-гал-лия в аморфный галлий происходит намного легче. Из этих результатов следует, что ионное облучение при низких температурах приводит к образованию такой же аморфной фазы, как и при закалке из газовой фазы. Это легко объяснимо в рамках модели термических пиков: высокая плотность энергии в каскаде, образованном тяжелым ионом, приводит к локально ограниченной "расплавленной" области в холодной матрице. Высокие температурные градиенты в холодной матрице, обусловленные малыми расплавленными областями, приводят к экстремально высоким скоростям охлаждения по сравнению с закалкой из газовой фазы (^10^^ К/с). Детали модели термических пиков обсуждаются в гл. 7, Правомерность применения этой модели для объяснения данных по галлию подчеркивается тем фактом, что авторы работы [20] не смогли получить аморф-рмкПмсм ную фазу в галлии при облучении '^'^-^—I гелием, который не приводит к образованию в мишени протяженных каскадов. Превращение аи р-галлия в лморфный галлий при низкотем Рис. 6.8. Зависимость Тс и ро а-галлия от дозы облучения ионами аргона Фаг при 4 К, показывающая на превращение 0 2 k в 8 в аморфный галлий [20]ФАгЖ^см"^ 187
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 185 186 187 188 189 190 191... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
