Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 180 181 182 183 184 185 186... 423 424 425
|
|
|
|
мы конденсируются на подложку, расположенную напротив источника. Ниже будем обсуждать только те примеры, когда держатель подложки обеспечивает ее охлаждение до температур жидкого гелия. При 4 К атомы не могут передвигаться на большие расстояния. Таким способом могут быть получены сильно разупорядоченные или даже аморфные твердые фазы. Типичная толщина слоев меньше чем 1000 А. Желательно, чтобы эксперименты по закалке из газовой фазы проводились при давлениях менее чем 10-^ *торр (133-10"^ Па), в противном случае доминирующими будут эффекты загрязнения. Скорость закалки связана с быстрым охлаждением испаренных атомов, попадающих на холодную поверхность подложки и по оценкам равна примерно 10^^ К/с. Эту скорость закалки можно уменьшить, если увеличить температуру подложки при конденсации испаренных атомов. Кроме этого, скорость закалки зависит не только от температуры подложки, но также и от специфических свойств материалов, таких как температура плавления и теплопроводность. 6.2.2. Закалка из жидкой фазы Закаливаемый материал расплавляется в стеклянной трубе высокочастотным нагревателем в атмосфере аргона или в вакууме. Затем расплав под действием избыточного давления аргона поступает в капилляр, находящийся в нижней части стеклянной трубы. Струя расплавленного материала затвердевает на поверхности охлаждаемого водой вращающегося медного диска (рис. 6.2), в результате чего получаются полоски толщиной 20 мкм, несколько миллиметров шириной и несколько метров длиной. Похожий метод, когда капли необходимого материала быстро закаливаются между охлаждаемыми водой поршнем и наковальней, позволяет получить образцы толщиной 25 мкм и диаметром 2 см. По оценкам, скорость закалки в обоих процессах ^10^ К/с. На скорость закалки будут оказывать влияние температура и частота вращения диска или скорость движения поршня к наковальне. 6.2.3. Ионная имплантация и облучение На рис. 6.3 показаны основные схемы ионных имплантаций и облучения. В обоих случаях мишень, укрепленная на держателе подложки, бомбардируется ионными пучками сэнергией 100кэВ, дозами 10^^... 10^^ см"2. Температура подложки (образца) может варьировать от 2 К до комнатной и даже выше. Необходимый материал напыляется в виде тонкой пленки на подложку. В случае имплантации ускоренные ионы, замедляясь, остаются в пленке, изменяя при этом ее состав. В противоположность этому, во время облучения состав пленки не изменяется, поскольку ионы проходят через напыленную пленку и тормозятся в подложке. Как ионная имплантация, так и облучение могут приводить к изменениям струк 182
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 180 181 182 183 184 185 186... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
