Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 179 180 181 182 183 184 185... 423 424 425
|
|
|
|
3. в полупроводниках наблюдается экспоненциальное увеличение сопротивления с уменьшением температуры, так как количество свободных носителей определяется термоактивационным про дессом па^е kT с различными энергиями активации Еа, обусловленными внутренними свойствами и примесями. Уменьшение тем-лературы ведет к быстрому падению п и, следовательно, к резкому возрастанию электросопротивления. В заключение отметим, что электронные сверхпроводящие свойства метастабильных фаз дают в дополнение к структурным исследованиям важную информацию об их внутренних свойствах. ^.2. Неравновесные методы Здесь будут рассмотрены различные неравновесные методы, ис-лользуемые для получения аморфных и других метастабильных -сплавов. Эти методы включают в себя закалку из газовой фазы, закалку из жидкой фазы, лазерную закалку и ионное облучение. Будут обсуждаться различные скорости закалки и их зависимость от разных параметров. €.2.1. Закалка из газовой фазы На рис. 6.1 показана схема аппарата, используемого для закалки из газовой фазы. Необходимый материал, который может ^ыть однокомпонентным или сплавом с компонентами, имеющими близкие упругости паров (газа), испаряется либо электронной пушкой, либо из лодочки, нагреваемой электрическим током. Два различных, независимо контролируемых источника испарения используются, если необходимо провести закалку сплава, состоящего из ком-лонентов с различными упругостями паров (газа). Испаренные ато о о , Рис. 6.1. Схема закалки из газовой фазы: / — жидкость; 2 — источник газа (пара); 5 — газ (пар); 4 — закаленная пленка о -1000 А; 5 — подложка при 4 К Рис. 6.2. Схема закалки из жидкой фазы: 1 — вращающийся диск; 2 — закаленный образец (толщина 20 мкм); 3 — высокочастотный нагреватель; 4 — расплав; 5 — / ^ аргон под давлением' 181
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 179 180 181 182 183 184 185... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
