Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 178 179 180 181 182 183 184... 423 424 425
|
|
|
|
где (О — энергия фонона Электрон-фонондае взаимодействие, определяющее тс, описывается выражением 1=2 \= ZiOHilL ,(6.2) где а? (o)f (со) —параметр электрон-фононного взаимодействия, умноженный на фононную плотность состояний, М{0)—электрон ная плотность состояний на уровне Ферми, Р — электрон фононный тматричный элемент; М — атомная масса Из равенства в выражении (6 2) можно видеть, что тс или x можно объяснить двумя различными способами либо с превалирующим фононным, либо с электронным взаимодействием Обусловленные электрон фононным взаимодействием оба подхода эквивалентны и применимость того или иного из них зависит от конкретной систе мы Для получения высоких значений тс или % необходимо либо уменьшить фононные моды, либо увеличить n (0) Важный параметр электрон фононного взаимодействия af/^ может быть определен из экспериментов по сверхпроводящему каналированию Дополнительную важную информацию об основах механизма электронной проводимости можно получить по данным обычной проводимости, измеряя зависимость сопротивления образца (р) от температуры 1У металлов сопротивление подчиняется следующей зависимости Р-Ро + Р(^),(6.3) где Ро — остаточное сопротивление, определяемое рассеянием электронов проводимости на примесях и несовершенствах Сопротивление р (т) обусловлено электрон-фононным рассеянием, возрастающим с повышением температуры Для простых металлов р (Г) пропорционально температуре (при повышенных температурах) и из общих соображений p(n^^_L_f ill:!^d.,(6.4) ^е'^ n(0) ) ch где т, е — масса и заряд электрона соответственно Следовательно, просто измеряя р (7) можно определить a^f [16] Здесь, конечно, следует заметить, что apF в выражении (6 4) всегда усредняется по соответствующим моментам электронов Это означает, что в принципе имеется различие между glgf в (6 2) и ctp в (6 4), которое на практике не слишком важно [17] 2В металлических стеклах и во многих аморфных системах наблюдается очень слабая температурная зависимость сопротивления и даже весьма часто отрицательный температурный коэффициент, т е небольшое увеличение сопротивления с уменьшением температуры Различные модели, объясняющие этот эффект, рассматривались в работе [2] 1^0
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 178 179 180 181 182 183 184... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
