Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 173 174 175 176 177 178 179... 423 424 425
|
|
|
|
9 Lau S. S., Von Ailmen M., Golecki I., Nicolet M. A., Kennedy E. F., Tseng W. F., Appl Phys Lett, 1979, vol 35, p 327 Л0 Fulks R. т., Russo C. J., Hauley P. R., Kamins T. I. Appl Phys Lett, 1981, vol 39, p 150 U Lau S. S., Tseng W. F., Mayer J. W. In "Handbook on Semiconductors", (S P Keller, Ed ), 1980, vol 3, Ch 7 12Csepregi L., Kennedy E. F., Mayer J. W., Sigmon T. W. J Appl Phys , 1978, vol 49, p 3906 13Csepregi L., Kennedy E. F., Gallagher T. J., Mayer J. W., Sigmon T. W., J Appl Phys, 1977, vol 48, p 4234 14Kennedy E. F., Csepregi L., Mayer J. W., Sigmon T. W., J Appl Phys, 1977, vol 48, p 4241 15Mezey G., Matteson S. M., Gyulai J. In "Ion Beam Modification of Mate-nals", 1981, Pt II, p 587 (R E Benenson, E. N Kaufmann, G L Miller, W W Scholz, eds ), North Holland, Amsterdam 16Williams J. S., Grant W. A. In "Application of Ion Beam to Materials" (G Carter, J S Colhgon, W A Grant, eds) Inst Phys Con!, 1976, Ser. 28, p 31 17Williams J. S., Christodoulides C, E., Grant W. A., Andrew R,, Brawn J, R., Booth M, Rad Effects, 1977, vol 32, p 55 18Williams J. S., Elliman R. G. Appl Phys Lett, 1980, vol 37, p 829 19Campisano S. U., Barbarino A. E. Applied Phys, 1981, vol 25, p 153. 20Campisano S. D., Rimini E., Baeri P., Foti G. Appi Phys Lett, 1980, vol 37, p 170 21Campisano S. U., Foti G., Baeri P., Grimaldi M. G,, Rimini E., Appl Phys. Lett, 1980, vol 37, p 719 22Revesz P, Wittmer M., Roth L., Mayer J. W,, J Appl Phys, 1978, vol. 49, p 5199 ^3 Cullis A. G., Seidel T, E, Meek R. L, J Appl Phys, 1978, vol 49, p 5188 24Williams J. S., Elliman R. G., Nucl Instr Meth, 1981, vol 183, p. 758 25Christodoulides C. E., Baragiola R. A., Chirers D., Grant W. A., Williams J. S. Rad Eff, 1978, vol 36, p 73 26Wittmer M., Roth J., Revesz P., Mayer J. W„ J Appl Phys, 1978, vol 49, p 5207 27Fletcher J, Narayan J., Holland O. W. Inst Phys Conf, 1981, Ser. 60, p. 295 28Dearnaley G., Freeman J. H., Nelson R. S., Stephen J. "Ion ImpIantation", North Holland, Amsterdam, 1973 29Williams J. S., Brown W. L., Poate J. M. In "Laser Solid Interactions and Laser Processing ~ 1978", 1979, p 399 (S D Ferns, H J Leamy and J M Poate, eds), AIP Conf Ser 50, New York ^0 Christodoulides C. E., Carter G., Williams S., Rad. Eff, 1980, vol 48, p 91 31Blood P., Brown W. L., Miller G. L„ J Appl Phys, 1979, vol 50, p 173 32Picraux S. т., Johansson N. G. E., Mayer J. W., m "Semiconductor Silicon", Electrochem Soc New York, 1969, p. 442 33Maer J. W., Eriksson L., Davies J. A., "Ion Implantation in Semicondiic-tors", Academic Press, New York, 1970 34Gyalai J., Pashley R. D., Meyer O., Mayer J. W., Rad Eff, 1971. vol 7, P 17 35Sigurd D., Bjorkquist K., Rad Eff, 1972, vol 17, p 209 36Williams J. S., Christodoulides C. E., Grant W. A., Rad Eff, 1980, vol 48, p 78 37Josquin W. J. M. J., Tamminga Y., Appl Phs , 1978, vol 15, p 73 ^8 Hansen M., "Constitution of Binary Alloys", Mc Craw Hill, New York, 1958 (Опубликован перевод Хансен М., Андерко К. Структура сплавов М * Наука, 1962 Т 1, 2 1488 с ) 39Regolini J. L., Sigmon Т. W., Gibbons J. F., Appl Phys Lett, 1979, vol 35, p 114 40Lietoila A., Gibbons J. F., Magee T. J., Peng J., Hong J. D., Appl Phys Lett., 1979. vol. 35, p. 532. 175
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 173 174 175 176 177 178 179... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
