Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 172 173 174 175 176 177 178... 423 424 425
|
|
|
|
Исследования стабильности пересыщенных твердых растворов в кремнии обнаружило интересные различия в кинетике сегрегации и образования выделений для различных сочетаний примесный атом — кремний. Эти наблюдения дают ценную информацию о начальных стадиях образования выделений примесных атомов, включая образование дефектов и сегрегацию примеси. Например, атомы мышьяка уходят из узлов решетки в вакансионные комплексы, тогда как атомы сурьмы сегрегируют в правильные образования, ориентированные относительно окружающей решетки атомов кремния. Различие между процессами стабилизации и образования выделений в описанных системах приводит к более значительным различиям в уровнях электрической активности, чем следовало бы ожидать, исходя из известных максимальных значений равновесной растворимости. В отличие от рассмотренного случая захвата примесных атомов с низкой диффузионной подвижностью при перекристаллизации, быстродиффундирующие атомы, например, меди или серебра, образуют выделения в аморфной фазе прежде, чем их достигнет фронт кристаллизации. Вследствие этого эпитаксиальный рост подавляется и становится возможным развитие поликристаллическога слоя. В этих случаях примесные атомы могут диффундировать наружу через поверхностный поликристаллический слой посредством миграции по границам зерен. Наконец, помимо углубления знаний о явлениях роста кристаллов, образования и стабильности метастабильных твердых растворов, изучение твердофазного эпитаксиального роста в ионно-легированном кремнии весьма полезно с точки зрения совершенствования технологических процессов производства прогрессивных кремниевых приборов, в этом отношении развитие более тонких методов электрических измерений для оценки свойств и термической стабильности пересыщенных твердых растворов представляется многообещающим, в частности, для создания сверхбольших интегральных схем (СБИС). СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ i. Mayer J. W., Eriksson l., Picraux S. Т., Da vies J. A., Can J. Phys., 1968^ vol. 45, p. 663. 2Csepregi L., Mayer J. W., Sigmon T. W. Phys. Lett., 1975, vol. 54A, 157. 3Gat A., Gibbons J. G. Appl. Phys. Lett., 1978, vol. 32, p. 142. 4Williams J. S., Brown W. L., Leamy H. J., Poate J. M., Rodgers J. W,, Rousseau D., Rozgonyi G. A., Shelnutt J. A., Sheng T. T. Appl. Phys. Lett., 1978,. vol. 33, p. 542. 5.RegoHni J. L., Gibbons J. F., Sigmon T. W., Pease R. F. W. Appl. Phys. Lett.,. 1979, vol. 34, p. 410. 6.McMahon R. A., Ahmed H. In: "Laser and Electron Beam Processing of Electronic Materials", (G. L. Anderson, G. KColler, G. A. Rozgonyi, eds.), Electtochem. Soc, Prinston, 1979. 7.Fan J. C, Geis M. W., Tsaur B. Y., 1981. Appl. Phys. Lett., 1981, vol. 38. p. 365. 8.Gat A., IEEE Elect. Dev. Lett., 1981, vol. 2, p. 85. 174
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 172 173 174 175 176 177 178... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
