Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 171 172 173 174 175 176 177... 423 424 425
|
|
|
|
Во-вторых, изучение влияния примесных атомов при низких и высоких концентрациях показало, что кинетика перекристаллизации определяется как электронными эффектами, так и напряжениями, действуюпдими на межфазной границе при эпитаксиальном росте. В частности, увеличение скорости перекристаллизации на несколько порядков при введении 0,5% (атомная доля) примесных атомов, а также существование компенсационного эффекта, показывают, что перекристаллизация может контролироваться возникновением центров роста (электрически заряженных) на границе аморфной и кристаллической областей. Сходство ряда экспе--риментальных данных по исследованию стимулированного примесными атомами движения дислокаций в кремнии и результаты исследований скорости перекристаллизации позволили провести аналогию между этими двумя процессами и рассматривать кристаллизацию как процесс генерации и последующего перемещения из-. ломов на террасах и выступах. При высоких концентрациях леги-,рующей примеси наблюдается замедление скорости роста и "выталкивание" примесных атомов. Объяснить эти явления в рамках атомистических представлений значительно труднее. Считается, что деформация примыкающей к межфазной границе раздела области, возникающая как следствие различий атомных радиусов тіримеси и кремния, ответственна за замедление скорости кристаллизации и появление движущей силы поверхностной сегрегации или "выталкивания". Вместе с тем существующие в настоящее вре--мя механизмы для объяснения закономерностей перекристаллиза-щии как при низких, так и при высоких дозах легирования, доста-'точно умозрительны. Для глубокого понимания происходящих процессов необходимы дальнейшие эксперименты и теоретические ис-:ледования. Введение примесных атомов в кремний в неравновесных условиях ионной бомбардировки позволяет изучать процессы растворе-'Нйя, перераспределения сегрегации примеси и образования выделений до перекристаллизации, во время нее и после нее. При этом ^был обнаружен ряд важных эффектов. Особо следует отметить юбразование пересыщенных растворов примесных атомов, обладающих низкой диффузионной подвижностью в кремнии при твердофазном эпитаксиальном росте. Анализ образования таких мета-'Стабильных твердых растворов показал, что максимальная концентрация примесных атомов, которые могут быть введены в решетку кремния при твердофазном эпитаксиальном росте, ограничена процессом "выталкивания". Отметим, что значения максимальной растворимости примесных атомов в кристаллах, полученных при твердофазном или жидкофазном эпитаксиальном росте, ютличаются незначительно, хотя механизмы указанных процессов различны. Предполагается, что при твердофазном эпитаксиальном росте максимальная концентрация примесных атомов, располага-'ющихся в положениях замещения, определяется размером примес-:ных атомов и соответствующей деформацией решетки. 173
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 171 172 173 174 175 176 177... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
