Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 170 171 172 173 174 175 176... 423 424 425
|
|
|
|
Crjp^ff.cM'^Рис. 5.20. Зависимость предела метастабильной раство ^•fO^^r-_:_ римости Спред при твердофазном росте от тетраэдриче ^'^ского ковалентного радиуса R для различных примесей, имплантированных в кремний (100) (по данным Виль^ ямса и Шорта) 51"^ • 5b Pb ..fii In • on ' 1 і 1 1 1 дофазном эпитаксиальном росте, и тетраэд-рическим ковалентным радиусом [60] примеси. Эта зависимость иллюстрируется данными рис. 5.20, на котором видно, что примеси с больший радиусом, например, свинец, индий, ....... обладают меньшей растворимостью (-^IX и 1,2 и 1М R,A ХЮ^^ см-^), чем Примеси, радиус которых близок к радиусу кремния. К таким примесям относятся мышьяк, германий, а их метастабильная растворимость достигает значений --ЫО^^ см-^. Хотя указанная зависимость согласуется с моделью деформации межфазной границы раздела, сходные зависимости наблюдались между размером примесных атомов и пределом растворимости в твердой фазе для равновесных твердых растворов (см. гл. 4, [28]) и растворов, полученных при твердофазном эпитаксиальном росте (частное сообщение Уайта). Таким образом, необходимы более тщательные измерения (в частности, корреляции между интегральными зависимостями напряжение— деформация и пределами растворимости большого количества различных примесей в кремнии при твердофазном эпитаксиальном росте), чтобы полностью установить применимость деформационной модели. Действительно, остается нерешенным наиболее важный вопрос: почему измеренный предел метастабильной растворимости в твердой фазе (для большинства примесей) почти равен при твердофазном и жидкофазном эпитаксиальном росте, хотя механизмы сегрегации примесных атомов совершенно различны? 5.4. Обобщение и выводы Ионная имплантация кремния дает уникальную возможность изучения твердофазного эпитаксиального роста и особенностей его протекания в различных практически важных условиях. В связи с этим в последние годы пристальное внимание уделялось исследованию кинетики перекристаллизации и попыткам построения моделей процесса. Во-первых, следует упомянуть работы по ионному легированию кремния ионами Si+. В этом случае примеси не усложняют общую картину и оказывается возможным определение энергии активации перекристаллизации (2,35 эВ) и зависимости между скоростью перекристаллизации и ориентацией подложки. Подобные исследования углубили наши знания о процессах кристаллизации на атомарном уровне, а также позволили проверить существующие модели описания границы между аморфной и кристаллической областями. 172
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 170 171 172 173 174 175 176... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |