Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 168 169 170 171 172 173 174... 423 424 425
|
|
|
|
данной примеси. Рассмотрим предложенные в последнее время механизмы для объяснения особенностей, наблюдаемых при имплантации больших доз. Камписано и др. [20, 21] выдвинуто предположение, что механизм эпитаксиального роста в твердой и жидкой фазах аналогичен. Суть концепции заключается в том, что примеси с малым коэффициентом диффузии в твердом кремнии, могут быть захвачены узлами замегцения, находящимися на движущейся межфазной границе. Если время нахождения примесного атома на границе раздела превышает время кристаллизации одного монослоя, то их концентрация может значительно превысить максимальную растворимость в твердой фазе. Описанный процесс захвата примесных атомов [58, 59] определяется коэффициентом диффузии в двух примыкающих друг к другу фазах. Считается, что быстродиффундирующие примеси либо подавляют твердофазный эпитаксиальный рост (в результате образования выделений и поликристаллического роста в аморфном кремнии), либо выталкиваются на поверхность через границу раздела твердое тело — жидкость при жидкофазной эпитаксиальном росте. В общих чертах предложенная модель правильно описывает различия между быстрои медленнодиффунди-рующими примесями при эпитаксиальном росте и твердой и жидкой фазах. Однако она не вполне согласуется с рядом явлений, сопровождающих перекристаллизацию. Например, пересыщенные твердые растворы свинца в кремнии могут образовываться при низкотемпературном твердофазном эпитаксиальном росте [24, 30]. Вместе с тем (по утверждению С. В. Вайта) при жидкофазном эпитаксиальном росте происходит полная "зонная очистка". Далее в рамках предположения об аналогии захвата примесей при эпитаксиальном росте в твердой и жидкой фазах, можно сделать заключение, что явление "выталкивания" при твердофазном эпитаксиальном росте представляет собой процесс обычной сегрегации, обусловленный различием коэффициентов диффузии в аморфном и кристаллическом кремнии. Однако явление "выталкивания" совершенно непохоже на зонную миграцию при жидкофазном росте. При обсуждении "выталкивания", стимулированного твердофазным эпитаксиальным ростом в системе индий — кремний (неопубликованные данные Нараяна и др.) отмечается, что процесс перекристаллизации начинается при температурах, превышающих температуру плавления индия. Авторы предполагают, что сегрегация индия к поверхности и диффузия к межфазной границе в аморфном кремнии являются результатом усиленной жидкофазной диффузии. Однако исследование "выталкивания" в системах сурьма — кремний, мышьяк — кремний, висмут — кремний (неопубликованные данные Вилльямса и Шорта), в которых температура перекристаллизации ниже температуры плавления примеси, не согласуются с такой моделью. Вильяме и Эллиман предположили, что образование пересыщенных твердых растворов в процессе твердофазного эпитаксиального роста может начинаться с захвата 170
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 168 169 170 171 172 173 174... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
