Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 167 168 169 170 171 172 173... 423 424 425
|
|
|
|
рис. 5.19, Упрощенная схема твердофазного эпитаксиального роста при перекристаллизации пластины кремния (ЮО). в основе модели лежит возникновение и движение / вдоль выступов (ЛА') [110], соединяющих террасы (111), излома ІВВ'). Верхняя часть рисунка, ограниченная штри_ ховой линией, показывает часть пластины с кристаллическим строением Sj^p, а нижняя — с ам-форньш Sig^ Линии, соединяющие атомы выступа, не следует рассматривать как направления меж-атомньЕх связей. На рисунке также показана возможность захвата 2 излома при наличии сильных межатомных связей; НП 100 — нормаль к поверхности Ш0 нпюоу 000)гако щения. На рис. 5.19 показано развитие перекристаллизации за счет движения / излома на верхнем выступе АА^: этот процесс можно рассматривать как кооперативный процесс, в котором движущийся излом, прежде чем аннигилирует, вызовет перекристаллизацию множества атомов. На нижнем выступе показан излом, закрепленный "сильной" связью между примесным атомом 3 и атомом кремния 4. Сплошные линии, соединяющие атомы на рис. 5.19, не следует рассматривать как направления реальных межатомных связей. На самом деле атомы в узлах, расположенных на изломе, обладают либо координационными связями, либо висящими валентностями, аналогично соответствующим дислокационным моделям [56]. Предложенная модель обладает следующими основными достоинствами: 1) позволяет объяснить компенсационный эффект; 2) основана на хорошо обоснованной аналогии с достаточно глубоко изученным поведением дислокаций в кремнии при легировании; 3) позволяет легко обобщить основные положения модели Спаепена [42] для структуры межфазной границы раздела. Тем не менее для изучения деталей и правомерности предложенного механизма требуется проведение большого объема экспериментальных и теоретических работ. 5.3.3. Имплантация больших доз ионов Как отмечалось в п. 5.2, твердофазный эпитаксиальный рост в условиях высокой концентрации эффективно закрепленных примесных атомов, характеризуется рядом интересных особенностей. Эти особенности приводят к замедлению скорости перекристаллизации, "выталкиванию" примесных атомов на движущуюся границу раздела аморфной и кристаллической областей, образованию метастабильных твердых растворов и интенсивному развитию процесса поликристаллов. С их проявлением обычно приходится сталкиваться в тех случаях, когда концентрация легирующей примеси существенно превосходит предел растворимости в твердой фазе для 169
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 167 168 169 170 171 172 173... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
