Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 14 15 16 17 18 19 20... 423 424 425
|
|
|
|
лазерной обработке. В случае обычного жидкофазного кристаллического роста (например, по методу Хохральского) температурные градиенты сравнительно невелики. В этом случае скорость вытяги-нания кристалла из расплава определяется скоростью отвода скрытой теплоты из области зарождения кристалла. Достигаемые при этом скорости роста кристаллов имеют величину порядка 10~^ м/с и значительно уступают скорости перекристаллизации расплавленного поверхностного слоя, образующегося при импульсном облучении. Заштрихованная на рис. 1.4 область показывает, какие скорости могут быть достигнуты экспериментально при импульсном облучении, в конечном итоге скорость перекристаллизации определи-* ется переохлаждением расплава (см. гл. 3); чем больше переохлаждение, тем выше скорость. Достоверные оценки величины переохлаждения кремния на сегодня отсутствуют и заштрихованная область — всего лишь предполагаемые значения. Верхний предел скорости перекристаллизации представляет случай, когда скорость закалки настолько высока, что происходит образование аморфного слоя. Замечательным фактором является изменение скорости перемещения поверхности перекристаллизации при росте из аморфной и жидкой фазы, как минимум, на 14 порядков. Еще в первых экспериментах с импульсными лазерами была обнаружена удивительная возможность легирования с концентрациями, значительно превосходящими предел растворимости в твердой фазе, делающая этот метод обработки уникальным. (Подробно вопрос будет обсуждаться в гл. 4.) Поскольку граница раздела движется с весьма высокой скоростью, существует большая вероятность захвата примесей в ловушки. Эффективность захвата определяется соотношением скоростей перемещения границы раздела и диффузии примесных атомов в жидкости вблизи границы раздела. Будучи поглощенными узлами решетки при больших скоростях закалки, они уже не смогут диффундировать в твердом теле. Вероятность захвата атомов зависит от скорости и ориентации, а изучение этого явления позволяет значительно расширить представления о растворимости и скорости роста кристаллов, основанные на анализе процессов, близких к равновесным. Благодаря явлению концентрационного переохлаждения при определенных скоростях н концентрациях примесных атомов граница раздела становится нестабильной и происходит объединение примесных атомов в ячеистые цепочки, в гл. 3 и 4 обсуждаются примеры подобных микроструктур, возникающих вследствие сегрегации на поверхности раздела. Последняя стадия затвердевания заключается в застывании поверхности и выделении на ней примесных атомов по механизму зонной очистки. Поверхностные структуры, получаемые закалкой из расплава, могут существенно отличаться от реализуемых традиционными методами поверхностной обработки. Эта интенсивно' развивающаяся область знаний обсуждается в гл. 4. Исследования импульсного облучения и образования жидкой фазы интересны и с точки зрения процессов, происходящих в твер 16
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 14 15 16 17 18 19 20... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
