Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 166 167 168 169 170 171 172... 423 424 425
|
|
|
|
качественно объяснить концентрационную зависимость скорости перекристаллизации и компенсационный эффект. Образование заряженных вакансий обусловлено прежде всего изменением положения уровня Ферми. Более детальная модель описания твердофазного эпитаксиального роста, предложенная Вильямсом и Эллиманом, будет вскоре опубликована. Модель также основана на представлениях об изменении электронной структуры и образовании заряженных дефектов. В этом случае предложенный механизм перекристаллизации основан на аналогии между влиянием легирования на подвижность дислокаций в кристаллическом кремнии и стимулированном примесными атомами эпитаксиальном росте. Первый процесс подробно изучен в экспериментальных работах [50—52] и теоретически но следован в [51—56]. Легирование примесями ри я-типа до концентрации ^10^^ см-^ приводит к увеличению скорости движения дислокаций в кремнии более чем на два порядка. Таким образом, легирование примерно в одинаковой степени изменяет подвижность дислокаций и скорость перекристаллизации. На этом основании и проведена аналогия между двумя явлениями. Для обеспечения взаимосвязи между скоростью движения дислокаций и легированием использовался хорошо изученный механизм перемещения дислокаций посредством возникновения и миграции перегибов. Известно, что такого рода перемещения связаны с изменением положения уровня Ферми [56]. Хотя полное понимание механизма на сегодня отсутствует, существуют несколько теорий для объяснения взаимосвязи расположения уровня Ферми и подвижности дислокаций. Существующие теории можно разделить на две основные группы: 1) теории, в которых считается, что перегибы обладают хоро-шо выраженными донорными и акцепторными уровнями в запрещенной зоне, а легирование вызывает либо увеличение концентрации заряженных перегибов, либо изменения в энергии миграции перегибов [54, 56]; 2) теории, в которых предполагается, что легирование увеличивает либо концентрацию заряженных узлов на дислокациях [57], либо концентрацию заряженных дислокаций [53]. Оба подхода предсказывают увеличение скорости дислокаций при легировании кремния примесями ри д-типа. В упоминавшейся модели Вильямса и Эллимана центры роста на границе аморфной Зіам и кристаллической Зікр областей (ГАКО) представляются в виде изломов на ребрах [110]. Упрощенная иллюстрация этой модели приведена на рис. 5,19. Предполагается, что процесс твердофазного эпитаксиального роста определяется движением центров кристаллизации в виде ступенек на изломе ВВ^ вдоль выступа АА^ с направлением [110]. По аналогии с движением дислокаций, легирование может увеличивать скорость эпитаксиального роста в результате либо увеличения концентрации заряженных ступеней, либо снижения энергии активации переме 168
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 166 167 168 169 170 171 172... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
