Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 165 166 167 168 169 170 171... 423 424 425
|
|
|
|
нально дозе облучения, как это было показано выще для случая легирования фосфором (см. рис. 5.2). На основании этих результатов делается предположение, что зависимость скорости перекристаллизации от содержания примесных атомов в области концентраций, меньших предела твердофазной растворимости, обусловлена деформационными эффектами. Выше предела твердофазной растворимости следует ожидать (к такому выводу приводят, в частности, исследования с применением углерода, кислорода, азота и теллура) уменьшения скорости перекристаллизации. Предложенная модель влияния деформации решетки на скорость перекристаллизации хорошо описывает экспериментальные результаты при ионной имплантации одного элемента. Однако в рамках такой модели трудно объяснить существование компенсационного эффекта. Основываясь на деформационной модели, компенсационный эффект можно объяснить лишь в тех случаях, когда суммарная деформация сжатия, обусловленная примесями с атомным размером меньшим, чем у кремния, уравновешивается суммарной деформацией растяжения, обусловленной атомами большого радиуса, С этим условием не согласуются упоминавшиеся неопубликованные данные Суни по совместной имплантации кремния ионами бора и мышьяка (см. рис. 5.3). Как следует из рисунка, при одинаковых концентрациях бора (г—rsi==—0,29 А) и мышьяка (г—rsi=+0,01) скорость перекристаллизации близка к соответствующей величине для свободного от примесей кремния, тогда как деформация сжатия является доминирующей. Модели образования дефектов. При рассмотрении модели кристаллического роста Спаепена отмечалось, что кристаллизация на границе раздела аморфной и кристаллической областей контролируется процессами образования дефектов, которые инициируют разрыв хмежатомных связей и делают возможной кристаллизацию вдоль ребер 110, ограничивающих террасы (111). Таким образом, фактором, ограничивающим скорость эпитаксиального роста, может служить наличие благоприятных центров роста на ребрах. В этом отношении интересно исследовать возможные конфигурации дефектов, образующих центры роста на межфазной границе, и далее установить зависимость концентрации таких дефектов от концентрации легирующей примеси. Суни отмечает, что легирование кремния увеличивает коэффициент самодиффузии [47] и одновременно обеспечивает увеличение концентрации заряженных дефектов [48]. Предполагается, что присутствие заряженных дефектов на границе раздела (например, вакансий) может определять частоту разрыва межатомных связей и, следовательно, скорость перекристаллизации (по данным Суни и из работы [49]). Таким образом, следует ожидать увеличения скорости перекристаллизации с увеличением концентрации (заряженных) примесей. Хотя детальное исследование модели не проведено, введение в рассмотрение представлений об образовании при легировании заряженных вакансий позволяет, по крайней мере, 167
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 165 166 167 168 169 170 171... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
