Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 164 165 166 167 168 169 170... 423 424 425
|
|
|
|
рость перекристаллизации. Однако самый важный экспериментальный факт заключается в том, что присутствие на межфазной границе примесных атомов с концентрацией 0,5% (атомная доля) может изменить скорость перекристаллизации на два порядка. В этом отношении обсуждавшееся выше явление кооперативного разрыва Связей может оказаться существенным в обеспечении множественной престройки атомных связей в окрестности примесного атома или образованного примесью дефекта. Ниже рассмотрим некоторые механизмы, предложенные в последнее время для объяснения влияния имплантации малых доз ионов. Деформационные модели. Ряд авторов предполагают, что ускорение скорости перекристаллизации обусловлено несовпадением размеров атомов легирующей примеси и решетки, приводящим к деформации кристаллической решетки. Например, в новой работе Суни отмечается, что накопление локальных деформаций вокруг примесного атома может привести к макроскопической деформации кристаллической решетки и возникновению движущей силы для миграции атомов. Такой процесс может ускорять перекристаллизацию, интенсифицируя движение атомов (особенно междоузлий в кремнии) через границу раздела и направлении кристаллической фазы. Выше отмечалось [45, 46], что различия в поперечной деформации могут существенно влиять на перекристаллизацию свободного от примесей материала вдоль тех или иных направлений. Причиной является образование на границе раздела частичных дислокаций Шокли. Можно ожидать, что деформации, обусловленные размерным несоответствием примесных атомов, будут оказывать аналогичное влияние на процесс перекристаллизации. Согласно неопубликованным данным Камписано существует интересная взаимосвязь между скоростью перекристаллизации v при постоянной концентрации примеси и разностью между ковалентными радиусами примесного атома и атома кремния [г—rsij. Рис. 5.18 является иллюстрацией отмеченной зависимости при концентрации легирующей примеси 0,125%. Приведенные на рисунке экспериментальные точки позволяют предположить, что существует линейная зависимость между деформацией (которая пропорци ональна \г—г$і\) и скоростью пере-' ^^^^кристаллизации. Кроме того, Камписа но отмечал, что при низкой концентрации примесных атомов, скорость перекристаллизации возрастает пропорцио Рис. 5л 8. Экспериментальная скорость роста ионно-легированного кремния v с ориентацией 100 при температуре 500°С, линейно экстраполированная к концентрации легирующей примеси 0,125%. Скорость роста приведена в зависимости от абсолютной разности кова-лентных радиусов примесного атома и кремния, \г~гві\ (по данным Камписано) 166
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 164 165 166 167 168 169 170... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
