Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 163 164 165 166 167 168 169... 423 424 425
|
|
|
|
ориентацией 100 и 111 предложена модель релаксации напря-уаений. В этой модели предполагается, что перекригталлизация снижает экспериментально наблюдаемые двухосные напряжения в ионно-легированных слоях. Кроме того, снятие напряжений происходит благодаря движению частичных дислокаций Шокли (Ь= 1/6 [211]) под действием проекции сдвигающего напряжения на плоскость (111). Предполагается также, что при нагреве вблизи границы между аморфной и кристаллической областями происходит скопление точечных дефектов в кристаллической области. В результате становится возможным зарождение частичных дислокаций Франка с Ь=1/3 [111]. Более высокие напряжения сдвига на подложках (100) и (110) в отличие от подложек (111) неизбежно вызывают образование частичных дислокаций Шокли, которые обеспечивают зарождение большого числа центров роста, поскольку они пересекают плоскости как (100), так и (ИО). Хотя эта модель и предсказывает предпочтительный рост подложек с ориентациями (100) и (110), а не (111), вытекающая из нее близость скоростей роста для плоскостей с ориентацией (100) и (110) находится в резком противоречии с экспериментальными данными (13]. Ни в одной из рассмотренных выше моделей не исследуется образование зародышей необходимых для перекристаллизации на границе раздела аморфной и кристаллической областей. Чтобы объяснить кинетику перекристаллизации, ее ориентационную зависимость и получить необходимые количественные соотношения, необходимо глубже изучить механизмы, определяющие зарождение центров кристаллизации. Особенно важно рассмотреть вопрос о центрах кристаллизации применительно к случаям имплантации малых доз ионов, поскольку рассмотренные в данном параграфе модели не могут объяснить сильного влияния малого количества примесных атомов на скорость перекристаллизации. 5.3.2. Влияние имплантации малых доз ионов В первых сообщениях о влиянии малых концентраций примеси на скорость эпитаксиального роста [12, 14, 15] предполагалось существование нескольких процессов, ответственных за изменение скорости перекристаллизации. Например, считали, что неглубокие доноры (Р, As) или акцепторы (В) оказывают влияние на процессы разрыва связей на границе раздела, уменьшая энергии связи между атомами кремния и примеси. Далее, поскольку легирование вызывает сдвиг уровня Ферми, электронные эффекты могут вызывать усиление образования и диффузионной подвижности дефектов, являющихся центрами кристаллизации при твердофазном эпитаксиальном росте. Действительно, обнаруженное позднее влияние компенсационного эффекта на скорость перекристаллизации [не-спубликованные данные Суни и др.], служит весомым аргументом в Пользу определяющего влияния электрических процессов на ско 165
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 163 164 165 166 167 168 169... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
