Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 162 163 164 165 166 167 168... 423 424 425
|
|
|
|
могут быть использованы для качественного объяснения экспериментальных данных по изучению ориентационной зависимости скорости перекристаллизации в свободном от примесей кремнии. Как отмечалось Спаепеном и Тернбаллом [44], в условиях роста, определяемого перестройкой на межфазной границе раздела, кристаллическая область ограничена плоскостями, нормальными к направлениям наименьшей скорости. Чаще всего такими плоскостями оказываются плоскости плотнейшей атомной упаковки. В кремнии, согласно сделанному предположению, перекристаллизация происходит посредством образования слоев (Ш).-Кристалл при этом будет ограничен на границе раздела аморфной и кристаллической областей плоскостями плотнейшей упаковки атомов (111). Таким образом, следует ожидать, что граница раздела аморфной и кристаллической областей для подложек с ориентацией, отличающейся от 111Х превращается в набор ступеней, образованных плоскостями (111). Можно представить,, что процесс роста определяется движением ребер [110] как наиболее плотноупакованных направлений, ограничивающих террасы {111} [44]. Изображенная на рис. 5.17 схема находится в соответствии с описанным механизмом процесса. Используя представления о существовании предпочтительных направлений роста, зависимость между скоростью роста и ориентацией подложки, по существу, можно сформулировать, опираясь на чисто геометриче-ские представления. При этом время перекристаллизации должно быть эквивалентно времени, требуемому для перекристаллизации ряда атомов вдоль плоскости (111) между исходной границей аморфной и кристаллической областей и наружной поверхностью. В этих условиях скорость перекристаллизации (или, точнее, доля узлов и ребер решетки) увеличивается пропорционально sin 9, где 6 — угол между нормалью к подложке и направлением 111. Схема согласуется с экспериментально наблюдаемой зависимостью между ориентацией и скоростью перекристаллизации [13]. Проведенный Лоу [45] обзор различных моделей для описания ориентационной зависимости позволяет сделать следующие выводы. 1.Ксепреджи и др. [13] предложена геометрическая модель, в которой предполагается отсутствие реконструкции на границе аморфной и кристаллической областей и развитие перекристаллизации в тех узлах межфазной границы, у которых как минимум два ближайших атома находятся в узлах кристаллической решетки. В рамках данной модели на плоскостях (111) атомный рост происходит в направлениях 211. Таким образом, как и в модели Спаепена и Тернбалла [42], ориентационная зависимость определяется геометрическим фактором, а теоретические предсказания находятся в качественном согласии с экспериментальными данными [13]. 2. В работе Сешан и Эрнисс [46] для объяснения больших различий между скоростями перекристаллизации в кремнии с 164
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 162 163 164 165 166 167 168... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
