Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 160 161 162 163 164 165 166... 423 424 425
|
|
|
|
и электрической активностью при метастабильных концентрациях примесей ри /г-типа в кремнии. В этом отношении следует провести сравнительные исследования пересыщенных растворов, образовавшихся при эпитаксиальном росте из жидкой фазы, когда перекристаллизованный слой свободен от дефектов (см. гл. 4), и слоев, насыщенных дефектами роста и образующихся при твердофазном эпитаксиальном росте. Наличие дефектов строения может влиять на последующие процессы преципитации. 5.3. Модели перекристаллизации Для объяснения всего спектра экспериментальных данных,^ приведенных в п. 5.2, необходимо привлечение весьма совершенной модели атомистического строения движущейся границы раздела между аморфной и кристаллической фазами при твердофазном эпитаксиальном росте. На сегодня подобная совершенная модель отсутствует, а задачей этого раздела является краткий анализ существующих представлений о строении границы раздела аморфной и кристаллической областей в кремнии. Ниже будут рассмотрены основные положения предложенных в последнее время моделей для объяснения особенностей перекристаллизации. 5.3.1. граница раздела аморфной и кристаллической областей. Случай перекристаллизации в отсутствие примесей Рассмотрим кинетику перекристаллизации при твердофазном эпитаксиальном росте свободного от примесей кристалла кремния с ориентацией 100. В этом случае процесс характеризуется вполне определенной энергией активации, а все участки границы раздела между аморфной и кристаллической областями движутся в направлении к поверхности с постоянной скоростью. В соответствие с термодинамикой твердых тел, обладающих ковалентными связями [49], следует полагать, что процесс роста контролируется, в первую очередь, разрывом и перестройкой атомных связей на границе раздела, а не перемещением атомов кремния на значительное расстояние. На основе этой гипотезы в работе [12] предложено следующее соотношение для скорости перекристаллизации V в направлении 100: v = avo ехр {~^Eal{kET)], где а — межатомное расстояние в направлении 100; vo — частота прыжков; /S^Ea — энергия активации; къ —постоянная Больцмана; Т — температура в градусах Кельвина. Однако расчетные значения, полученные в рамках данной теории, оказались примерно на два порядка ниже экспериментальных данных. Исходя из этого, можно предположить, что существенный вклад в твердофазный эпитаксиальный рост дают кооперативные процессы разрыва связей. 162
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 160 161 162 163 164 165 166... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
