Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 159 160 161 162 163 164 165... 423 424 425
|
|
|
|
Пересыщенные растворы мышьяка, полученные при неравновесном твердофазном отжиге кремния с ориентацией 100 [5, 45—47], также оказались нестабильными при последующей термообработке. Однако взаимосвязь между количеством атомов замещения и электрической активностью в системе мышьяк —кремний характеризуется рядом особенностей в сравнении с системой сурьма — кремний. Например, количество электрически активных атомов, первоначально превышающее lO^i см~^ и согласующееся с числом атомов замещения мышьяка, резко уменьшается после кратковременного (^^30 мин) отжига при достаточно низкой температуре (600°С) [47]. В таких случаях количество атомов в положениях, близких к положениям замещения, значительно превосходит количество электрически активных атомов. Более длительные отжиги наводят на мысль, что наибольшая равновесная концентрация мышьяка (электрически з^ктнвные атомы) не превосходит 3-10^^ см~^, а это существенно ниже максимального значения равновесной растворимости мышьяка в кремнии (см. гл. 4, [28J). В работе [47] для объяснения явления сделано предположение о преобладающем вкладе комплексов вакансий мышьяка в сравнении с образованием выделений. Наконец, недавние исследования устойчивости метастабильной системы индий — кремний с применением просвечивающей электронной микроскопии и каналирования [31] показали, что образование выделений в системах сурьма — кремний и мышьяк — кремний происходит по-разному. В настоящее время не представляется возможным до конца разъяснить особенности поведения 33 устойчивость различных метастабильных систем. Требуется про-ведение более подробных исследований микроструктуры и ее взаимосвязи со склонностью к образованию растворов замещения Рис. 5Л6: 2 — зависимость активной дозы ф^^ от температуры отжига Г^^ж "Р" имплантации ионов сурьмы (по данным измерения электросопротивления) до дозы ионов: і ~ Ь10^5 см-2; 2 — З'Ю'з см—^; 5 — 5-10'^ см-2. о — зависимость концентрации замещающих атомов по данным каналирования в зависимости от температуры отжига (время отжига 10. . .30 мин); ^перекр ^ "^^^"^І^^^УР^ начала перекристаллизации 6^1241 161
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 159 160 161 162 163 164 165... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
