Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 13 14 15 16 17 18 19... 423 424 425
|
|
|
|
Скорость зависит от того, как быстро скрытая теплота кристаллизации отводится от границы раздела твердой и жидкой фаз, и определяется теплопроводностью материала н температурными градиентами. В рассмотренных случаях температурные градиенты находились в диапазоне 10^... 10^ К/см, а соответствующие скорости закалки равнялись 10^...10^° К/с. 3.3. Эпитаксиальный рост кристаллов I Ряд весьма интересных проявлений поверхностной обработки 'Определяется движением фронта кристаллизации. На рис. 1.4 показана зависимость скорости кристаллизации кремния от температуры границы раздела. В скобках на рисунке указано время, (необходимое для кристаллизации слоя толщиной 1000 А при раз-.личных схемах нагрева. Скорости роста кристаллов в твердой фазе {ТФ) получены из данных по исследованию перекристаллиза-дии аморфного слоя кремния на кристаллической кремниевой подложке; большинство имеющихся в настоящее время данных, как зто обсуждается в гл. 5, получено в условиях печного отжига (ЯО). в условиях печного отжига температурные градиенты близки к щлю и скорость роста определяется температурной зависимостью вероятности разрыва связей и атомной конфигурацией границы раздела. Аморфный кремний обладает большой свободной энергией ж в присутствии кристаллического кремния термодинамически нестабилен; возникает тенденция к эпитаксиальному росту, т. е. к образованию последовательности кристаллических слоев на ниже--лежащем кристалле. Скорость межфазной границы является экспоненциальной функцией температуры, поэтому на рассматриваемом графике представлены результаты экстраполяции в область тювышенных температур. В области, примыкающей к температуре плавления Гпл, кривая проведена пунктиром, так как считается (см. гл. 3), что температура плавления аморфного кремния значитель-ш меньше, чем кристаллического. При оплавлении кремния наблюдается резкий скачок скорости кристаллизации, связанный с высокой подвижностью атомов в жидкости, а также с существованием очень высоких градиентов температуры при Рис. 1.4. Температурная зависимость скорости перекристаллизации v кремния. 'Стрелками на рисунке обозначено время % необходимое для кристаллизации слоя тол о тиной 1000 А при печном отжиге (^0) и термообработке непрерывным (НЛ) и импульсным (ИЛ) лазерами: ЖФ —жидкая фаза; ГФ — твердая фаза ш $00 800 1000 то то т/с 15
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 13 14 15 16 17 18 19... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
