Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 156 157 158 159 160 161 162... 423 424 425
|
|
|
|
облучения в 2 раза вызвало резкое снижение скорости кристаллизации при тех же условиях отжига, что и на рис. 5.14, а. Дальнейший 60-минутный отжиг при 580°С (на рисунке не показан) не приводит к исчезновению остаточного (/1^400 А) тонкого аморфного слоя, показанного на рис. 5.14, б. Как и прежде, в той области концентрационного профиля, где происходит перекристаллизация, максимальная концентрация атомов сурьмы в положениях замещения составляет 1,3-102^ см~^. Чтобы завершить процесс перекристаллизации при дозе имплантации ионов сурьмы ЫО^^ см~^, потребовался отжиг при температурах 650 и 700°С (на рис, 5.14 не показано). Несмотря на образование эпитаксиального слоя относительно хорошего качества, лишь около 10% атомов сурьмы заняло узлы решетки кремния, а концентрационный профиль атомов сурьмы сильно уширился вблизи поверхности. Приведенные факты свидетельствуют об образовании значительного количества выделений сурьмы. Изученное с помощью рис. 5.14 поведение системы сурьма — кремний позволяет понять явление захвата примесей узлами замещения в процессе твердофазного эпитаксиального роста. Обнаружено существование для каждой примеси предельной концентрации (в случае сурьмы эта концентрация равна 1,3-10^^ см-^). Если доза легирования такова, что концентрация примеси ниже лредельной, наблюдается практически 100%-ное размещение примесных атомов в узлах решетки кремния. Если же концентрация примеси оказывается выше предельной, происходят сильное замедление скорости перекристаллизации и заметное перераспределение примесных агомов. "Выталкивание" примесных атомов, рассмотренное при обсуждении рис. 5,9, свидетельствует о перераспределении, сопровождающем перекристаллизацию в тех случаях, когда концентрация примеси превышает максимально допустимую для атомов замещения. Для системы индий — кремний, представленной на рис. 5.9, условия начала интенсивного "выталкивания" позволяют установить, что предельная концентрация примесных атомов равна 5-10^^ см-^ (для сравнения: в равновесных условиях предельная концентрация равна 8-10^^ см-^). Таким образом, процесс "выталкивания" определяет максимальную концентрацию примеси, обладаюш^еи малым коэффициентом диффузии в кремнии, которая может быть введена в узлы кристаллической решетки при твердофазном эпитаксиальном росте. Описанное выше образование метастабильных растворов в твердой фазе наблюдалось также в работе [31] для случая кремния, легированного ионами сурьмы и индия. Сходные результаты получены при изучении имплантации мышьяка, свинца, таллия, висмута и теллура в кремний с ориентацией 100 [22, 23, 26, 30]. Для всех этих примесей предельная растворимость существенно превосходит приводимые в литературе данные для равновесных твердых растворов [43]. 158
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 156 157 158 159 160 161 162... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
