Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 155 156 157 158 159 160 161... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 5.14. Неориентированный (Л спектр и спектр каналирования в направлении 100 (2) высокого разрешения с поверхности (100) кремния, легированного сурьмой. Сплошной линией (3) показаны данные до отжига, а звездочками (У,после 30-минутного отжига при 580°С: д —доза легирования ионами 5-10^^ см—^; б — доза легирования t.IO'^ см—', при которой проявляется торможение перекристаллизации. Двойные стрелки на спектрах указывают на степень эпитаксиаль-ности. На внутренних шкалах указана глубина h 20D0 woe перераспределение меси. Рассмотрим подробно некоторые этих результатов. На рис. 5.14 представлены спектры обратного рассеяния и каналирования, показывающие некоторые характерные черты ионного легирования сурьмой кремния с ориентацией 100 (по неопубликованным данным Дж. С. при более из moV? W00 350 360 370 п 250 Вильямса и р. ж. Эллимана). На рис. 5.14, а видно, что отжиг при температуре ЪШС кристаллов кремния с ориентацией 100Х облученных до дозы 5-10^^ см-^ ионами сурьмы, приводит к образованию высококачественного эпитаксиального слоя. Из сравнения случайного и направленного спектров сурьмы (см. рис. 5.14, а), а также из результатов упомянутых выше работ Дж. С. Вильямса и Р. ЖЭллимана по исследованию угловых зависимостей спектров, можно сделать вывод, что более 97% атомов сурьмы находятся в узлах решетки кремния. Это дает для максимальной концентрации атомов, находящихся в положениях замещения, значение ^1,3-10^^ см-^ что по крайней мере на порядок превосходит предел равновесной растворимости сурьмы в кремнии. Следует также отметить, что в пределах разрешения по глубине ^40А не наблюдается перераспределения сурьмы при отжиге. Можно утверждать, что при дозе легирования ионами сурьмы ниже 5-10^^ см"^ обеспечивается хорошее качество эпитаксиального слоя, практически стопроцентное расположение атомов Sb в узлах замещения и отсутствие перераспределения. На рис. 5.14, б показано, что происходит при увеличении концентрации имплантированных атомов сурьмы. Возрастание дозы 157
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 155 156 157 158 159 160 161... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
