Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 154 155 156 157 158 159 160... 423 424 425
|
|
|
|
5.2.4. Пересыщенные твердые растворы Примеси могут быть имплантированы в твердые тела с концентрацией, значительно превосходяпдей предел равновесной растворимости. Однако последующий отжиг кремния в целях восстановления кристаллической структуры может приводить к образованию выделений примеси и понижению концентрации до значений, близких к равновесным. В самом деле, в предыдущих разделах предполагалось, что интенсивное замедление скорости роста, низкокачественный эпитаксиальный рост, концентрационная зависимость перераспределения и образования выделений связаны с предельной величиной твердофазной растворимости имплантированной примеси в кремний. Было показано, что с точки зрения процессов перекристаллизации и перераспределения, следует различать быстродиффундирующие и медленнодиффундирующие имплантированные примеси. Точно также при анализе диффузии в твердой фазе следует различать быстродиффундирующие примеси, которые могут образовывать выделения, прежде чем их достигнет фронт перекристаллизации, и медленнодиффундирующие, остающиеся случайно распределенными даже после завершения перекристаллизации. В последнем случае следует ожидать образования пересыщенных твердых растворов при твердофазном эпитаксиальном росте. Однако последующее повышение температуры и (или) увеличение времени отжига могут привести к образованию выделений в кристаллическом кремнии и снижению концентрации до равновесного уровня в результате увеличения подвижности примесных атомов. Ниже исследуется образование и стабильность стимулированных твердофазным эпитаксиальным ростом пересыщенных твердых растворов. Образование растворов. Уже в первых исследованиях ионной имплантации и печного отжига в кремнии {32—35] была хорошо установлена возможность образования пересыщенных твердых растворов в результате твердофазной перекристаллизации. Чаще всего в процитированных работах для определения концентрационных профилей примесных атомов замещения третьей, четвертой, пятой и шестой групп в кремнии использовалась техника каналирования. Эти примеси относятся к тем, которые, обладая малой диффузионной подвижностью в кремнии, должны оставаться во время эпитаксиального роста случайно распределенными. Более поздние работы (17, 31, 36, 37] показали, что наибольшая наблюдаемая растворимость замещающих атомов зависит от типа легирующего иона, ориентации подложки и параметров отжига. Более детальные исследования [18, 20, 21, 24, 27] позволили сделать однозначный вывод, что наивысшая растворимость достигается для кремния с ориентацией (100) и печного отжига при температурах :^600°С. Кроме того, наибольший измеряемый предел растворимости зависит от ряда факторов. К ним относятся подвижность примеси, размер атома, скорость перекристаллизации и 156
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 154 155 156 157 158 159 160... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
