Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 153 154 155 156 157 158 159... 423 424 425
|
|
|
|
для формирования поликристаллического слоя. Однако более длительный отжиг при температуре 565°С привел к прогрессирующему перераспределению и сегрегации свинца вблизи поверхности. Основным механизмом является ускоренная диффузия по границам зерен [30]. Эффекты перераспределения наиболее характерны для слабо перекристаллизованного кремния с ориентацией 111 при имплантации до доз ионов, превышающих ЫО^^ см~^ [25, 31]. Наконец, перераспределение и образование выделений в некоторых ионно-легированных системах происходит одновременно по нескольким механизмам. В качестве примера на рис. 5.13 приведены спектры каналирования, иллюстрирующие "выталкивание" атомов свинца на границу раздела кристаллической и аморфной фаз в начальных стадиях эпигаксиального роста при температуре 505°С. Дальнейшее перераспределение скорее всего происходит посредством ускоренной зернограничной диффузии, развивающейся после поликристаллической перекристаллизации приповерхностной области при температуре 565°С [24]. 1 / 2k0 265 290 3^0 560 380 л Рис. 5.12. Концентрационные профили свинца, демонстрирующие развитие зер-нограничиой диффузии при поликристаллической перекристаллизации кремния с ориентацией 1U. Температура отжига равнялась 5бо С, а доза легирования ионами свинца — 2-Ш*^ см"^ [30]. Кривые /—4 соответствуют отжигу в течение 40, 50, 60 и 80 мин, а на приведенной шкале показано расстояние h от поверхности образца Рис. 5.13. Спектры обратного рассеяния, показывающие два различных механиз-ма перераспре деления атомов свинца в ионно-легированном кремнии с ориентацией 100. Доза легирования составляла ЫО^з см~^, а энергия ионов свинца— 80 кэВ. Отжиг при температуре 505°С вызывает частичный ТФЭР, облегчающий "выталкивание" свинца и сегрегацию на границе между кристаллической и аморфной областями. Дальнейший отжиг при 565°С приводит к образованию поликристаллйческого слоя, через который диффундируют и скапливаются на поверхности сегрегированные атомы свинца [30]: ^ — данные, полученные до отжига; 2 — после отжига при 505°С; J — после отжига пра 665°С 155
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 153 154 155 156 157 158 159... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
