Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 151 152 153 154 155 156 157... 423 424 425
|
|
|
|
6.2.3. Перераспределение и образование выделений в кристаллическом кремнии После перекристаллизации при температурах ^550°С и соответствующих условиях может происходить перераспределение примеси с образованием выделений в перекристаллизованном слое. Конкретно кинетика перераспределения или образования выделений определяется природой и качеством нерекристаллизованного слоя. Следует рассмотреть две различные ситуации. Так, в процессе перекристаллизации может образовываться высококачественный эпитаксиальный слой. В этом случае перераспределения и преципитации имплантированных примесных атомов во время эпитаксиального роста не происходит. Последующая термообработка при более высоких температурах и(или) в течение более длительного времени может вызвать перемещение примеси посредством обычной диффузии. Следствием этого является часто наблюдаемое экспериментально уширение концентрационного профиля при высоких (900°С) температурах отжига [28] и (или) образование выделений имплантированной примеси. Образование выделений возможно, если диффузионная длина превышает среднее расстояние между примесными атомами. Локальная преципитация часто наблюдается при высокотемпературном (^1000°С) отжиге кремния, легированного до высоких концентраций бором, фосфором, мышьяком [28]. Однако недавно удалось обнаружить ранние стадии образования выделений в кремнии с ориентацией 100 при более низких температурах отжига (600—ООО^'С). В частности, в работе [20] отмечается преципитация висмута, а в заботе [27] и неопубликованных данных А. П. Погани —сурьмы. Лриведенные на рис. 5.И микрофотографии [Погани, 1982 г.], полученные в просвечивающем электронном микроскопе^ служат хорошей иллюстрацией процессов, происходящих в имплантированном сурьмой кремнии. На рис. 5.11, а показано образование дислокационных петель и стержнеподобных дефектов при температуре 850°С. Отжигу подвергался образец кремния с ориентацией 111, легированный дозой ионов 3-10^^ см"^. Отмеченные дефекты не обнаруживаются при отжиге с более низкой температурой и обусловлены начальной стадией образования выделений сурьмы. Идентификация выделений осуществлялась в режиме съемки дифрактограмм (на рисунке не показаны). На рис. 5.11, б приведены результаты отжига при температуре 1000°С легированного сурьмой кристалла кремния с той же ориентацией. Доза ионов легирования в этом случае составляла l-W^ см"^. Микрофотография и соответствующая дифракционная картина позволяют говорить о наличии регулярно расположенных выделений сурьмы, ориентированных вполне определенным образом по отношению к кристаллу кремния. Интересно отметить, что отжиг при температуре ^ЮОО^'С кремния, имплантированного сурьмой ДО дозы ионов l-W^ см-2, не приводит к образованию преципи 153
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 151 152 153 154 155 156 157... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
