Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 150 151 152 153 154 155 156... 423 424 425
|
|
|
|
V о5 рас 1509 1000 Рис. 5.10. Спектры обратного рассеяния с поверхности (100) кремния после имплантации ионов (1) и после отжига аргоновым ионным лазером в непрерывном режиме (2). Доза легирования составляла 3-10^^ см~^, размер лазерного пятна 40 мкм; мощность лазерного пучка 8 Вт, а время облучения 15 мс. Внизу, справа на графике показаны соответствующие концентрационные профили и приведена шкала глубин [29]: В — неориентированный спектр; 4 — спектр каналирования в направлении 100 500 ^50 п гом рассмотренной в гл. 4 зонной миграции на движущейся границе жидкость — твердое тело. 3. Критическая концентрация начала интенсивного "выталкивания" зависит от типа легирующей примеси. Более того, она всегда значительно больше максимальной твердофазной растворимости этой примеси в кремнии. Вопросы растворимости рассмотрим подробнее в п. 5.2.3. 4.Явление "выталкивания" наблюдается при таких концентрациях легирующей примеси, когда процессы твердофазного эпитаксиального роста подавлены. В частности, снижение скорости перекристаллизации при достижении критической концентрации, экспериментально обнаружено в работе [20]. Более того, для концентраций, значительно превышающих порог "выталкивания", обеспечивается развитие поликристаллического роста [24]. 5. Максимально наблюдающееся обогащение границы между аморфной и кристаллической фазами сегрегирующей примесью не превышает одного монослоя. Для таких элементов, как индий и свинец, наличие более одного монослоя примесных атомов достаточно для полного торможения эпитаксиального роста и развития поликристаллического процесса. Это происходит в основном за счет образования выделений примеси на границе аморфной и кристаллической областей. Описанные выше наблюдения относятся к печному отжигу при температурах ^600°С. Однако явление "выталкивания" наблюдается также в процессе нестационарного твердофазного отжига при значительно более высоких температурах. В качестве примера на рис. 5.10 показано перераспределение мышьяка при отжиге аргоновым ионным лазером в непрерывном режиме. Температура отжига составляла ^900°С, а время—15 с. Обработке подвергалась пластина кремния с ориентацией 100Х легированная мышьяком до дозы ионов 3-10^^ см-2. 152
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 150 151 152 153 154 155 156... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
