Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 149 150 151 152 153 154 155... 423 424 425
|
|
|
|
рис. 5 9 Спектры обратного рассеяния, поясняющие кинетику эпитаксиального роста и лерераспределення имплантированной примеси. Спектры получены с пластины кремния (ориентация 100", облученной ионами индия энергией ^0 кзВ до дозы 10^^ см-^ и отожженной при 550°С в течение ту о — время отжига равно нулю, 1 — 3 миіі; 2—^0 мин; 3—15 мин; 4 — 30 мин; а — спектры кремния iipw кйналировании (п — номер канала) в нагграолекня 100; б ~~ спектры индия при случайной ориентации (сплошные линии) и при каналировании S направлении 100 (штриховые линии), соответствую-ідке спектрам на верхней схеме {а) у т 6) 200А 270 230 290 Л ПоЗррхнасть la 310 п ЖИГ при температуре SSS^'C вызывает эпитаксиальный рост в направлении к поверхности образца (рис. 5.9,а). Одновременно с эпитаксиаль-ным ростом происходит сегрегация, или "выталкивание", примесных атомов индия на границу раздела аморфной и кристаллической фаз (рис. 5,9, б) [18]. По завершении перекристаллизации часть имплантированно-го индия остается в объеме кремния, а часть накапливается вблизи поверхности перед границей аморфной и кристаллической областей. Явление "выталкивания" наблюдалось также при имплантаций в пластины кремния с ориентацией 100 ионов мышьяка, сурьмы, индия, тантала, висмута [24, 27]. В частности, по неопубликованным данным Дж. С. Внльямса и Р. ЖЭллимана, наблюдаются следующие интересные особенности, 1. Сегрегация на границе раздела и выталкивание примеси протекают лишь для медленнодиффундирующих примесей, которые не образуют выделений до начала эпитаксиального роста. Диффузионная длина для такой примеси не должна превышать 1 А за вре эпитаксиальной перекристаллизащтя. 2."Выталкивание" не обнаруживается, если концентрация принеси ниже определегшого критического уровня. Следовательно, это явление не может рассматриваться как частный случай обычной сегрегации, характеризуемой независящим от концентрации коэффициентом сегрегации. "Выталкивание" не является также анало 151
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 149 150 151 152 153 154 155... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
