Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 148 149 150 151 152 153 154... 423 424 425
|
|
|
|
при этом можно говорить о перераспределении непосредственно во время имплантации, а также при последующем отжиге с температурой и временем, недостаточными для перекристаллизации кремния. Детальное изучение различных механизмов перераспределения, сегрегации и преципитации проводится в гл. 8 и 9. При кратком обсуждении целесообразно различать следующие процессы. Во-первых, появление атомов отдачи и каскадные явления, которые приводят к перераспределению ранее имплантированных атомов выбитыми частицами или под влиянием каскада соударений, вызванного внедряющимися ионами. Во-вторых, явление радиационно-стимулированной диффузии, включающее, в частности, образование подвижных дефектов при облучении и перемещение примеси благодаря градиенту концентрации или под действием двил^ущих сил иной природы, например, химической. Первый процесс вызывает только изменение концентрационного профиля примеси. Примесные атомы остаются случайно распределенными в матрице исходного элемента, не скапливаются и не образуют выделений. Во втором случае миграция атомов за счет радиационно-стимулирован-ной диффузии может приводить к хорошо выраженной сегрегации и образованию включений второй фазы разной степени сложности. Кроме того, под действием сил химической природы могут развиваться химические реакции в твердой фазе и образовываться приповерхностные соединения. Примерами таких соединений являются силициды, возникающие, например, при имплантации в кремний платины или никеля. Рассмотренные процессы имеют непосредственное отношение к перемешиванию ионным пучком и будут обсуждены в гл. 9. Как показывают данные рис. 5.6—5.8, образование агломератов и включений второй фазы под действием радиационно-стимулиро-ванной диффузии оказывает существенное влияние на характер последующей перекристаллизации кремния. Преципитация в аморфной фазе может происходить после имплантации, но прежде чем начнется перекристаллизация. Для этого необходимо, чтобы энергия активации диффузии имплантированной примеси в аморфном кремнии была меньше, чем энергия активации эпитаксиального роста, равная 2,35 эВ. В таких случаях быстродиффундирующие примеси, например, медь и серебро, образуют включения в аморфном кремнии при отжиге с температурой 550...600°С за время в 10—100 раз меньшее, чем необходимо для протекания ТФЭР [20, 21]. В результате эпитаксиальный процесс может быть заторможен образованием выделений перед фронтом эпитаксиального роста. Сегрегация на границе раздела при перекристаллизации. Приведенные на рис. 5.9 данные служат хорошей иллюстрацией к интересному явлению перераспределения при эпитаксиальном росте. Для исследуемого образца (кремний с ориентацией 100Х имплантированный ионами индия до дозы ЫО^^ см"^, изотермический от 150
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 148 149 150 151 152 153 154... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
