Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 147 148 149 150 151 152 153... 423 424 425
|
|
|
|
увеличении концентрации легирующей примеси, а также зависят от предела равновесной растворимости примеси в кремнии. Предложенный механизм ухудшения качества ТФЭР и образования поликристаллов схематически иллюстрируется рис. 5.7. В случае умеренных и высоких доз легирования кремний аморфизу-ется на глубину, значительно превышающую максимум концентрации легирующей примеси. При отжиге эпитаксиальный рост начинается на глубинах, соответствующих низкой концентрации примеси (свободный от носителей начальный эпитаксиальный рост, очевидный из рассмотрения рис. 5.6). По мере того как граница процесса перемещается в область высокой концентрации примеси, наблюдается сильное торможение роста. Замедление скорости перекристаллизации можно объяснить либо локальной деформацией, либо выделениями примеси в легированном слое. Подробней эти процессы будут рассмотрены в п. 5.3. По мере замедления эпитаксиального роста, преобладающим становится зарождение поликристаллов внутри аморфного слоя. Поликристаллическому росту благоприятствуют следующие факторы. Во-первых, наличие в аморфной фазе еще до перекристаллизации малорастворимой, быстро-диффундирующей примеси, например инертных газов, меди или серебра, образующих центры роста в виде мелкодисперсных включений. Во-вторых, в процессе перекристаллизации, особенно за пределом растворимости, развиваются процессы сегрегации и образования выделений имплантированной примеси. Экспериментальное подтверждение первого механизма получено в работах [22, 26] по исследованию ионной имплантации инертных газов в пластину кремния с ориентацией 100 методом просвечивающей электронной микроскопии. Внутри аморфного поверхностного слоя еще до перекристаллизации образуются газовые пузырьки, электронно-микроскопические снимки которых приведены на рис. 5.8 [23]. В следующем подпараграфе подробнее рассмотрим возможность развития процессов образования выделений, ведущих к поликристаллическому росту. 5.2.2. Сегрегация, преципитация и перераспределение примесей Перераспределение имплантированных примесей в кремнии может происходить различными путями. Для удобства описания введем следующую классификацию процессов перераспределения при отжиге: в аморфном кремнии до перекристаллизации; в процессе фазового перехода из аморфного в кристаллическое состояние, в кристаллическом кремнии после перекристаллизации. Перераспределение до перекристаллизации. Выше было показано, что сегрегация и образование выделений имплантированных примесей в аморфном кремнии может создавать барьер для последующего эпитаксиального роста (см. рис. 5.6—5.8). Теперь уместно кратко исследовать возможные механизмы перераспределения и сегрегации примеси в аморфном кремнии до перекристаллизации. 149
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 147 148 149 150 151 152 153... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
