Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 146 147 148 149 150 151 152... 423 424 425
|
|
|
|
дит к плохому качеству эпитаксиального слоя. Аналогичная зависимость качества нерекристаллизованного слоя от количества имплантированной примеси обычно наблюдается и для подложек с ориентацией 111. В этом случае низкое качество ТФЭР (наличие двойников и дефектов упаковки) наблюдается при относительно небольших концентрациях примеси [26]. Из изложенного ясно, что качество перекристаллизованного слоя и степень развития поликристаллического роста для подложек с ориентацией (Ш) и 100 связаны с изменением скорости эпитаксиального роста при т А I Ш 1;" * Рис. 5.8. Микрофотографии поверхности (111) кремния, облученной ионами Ne+, полученные с помощью просвечивающего электронного микроскопа: а —вблизи полюса [111] отмечены направления типа 110, топографический контраст; б —полюс [НО] (направления типа 111 показаны короткой стрелкой, а типа 100 — длинной), недофокусировка [23] 148
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 146 147 148 149 150 151 152... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
