Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 145 146 147 148 149 150 151... 423 424 425
|
|
|
|
V, А/ми и 60 20 V • kOOKsQ о Ц-ОкэВ ' S(Si) 16^ ^ЗОмии,ЬО0% ^00мин 600''С 0,61,0 ЕМэВ Рис. 5.5. Скорость перекристаллизации v в зависимости от концентрации теллура Cse, имплантированного в пластину кремния с ориентацией 100. Отжиг проводился при температуре 520''С [19] Рис. 5.6. Результаты анализа спектра обратного рассеяния Коб. рас монокристалла кремния с ориентацией 100 после имплантации ионов Си с энергией 70 кэВ, Доза легирования 2-1015 см~2. Образец отжигался при температуре 600°С в течение 30 мин (левый спектр) и в течение 300 мин (правый спектр) [20]: / — спектр каналирования сразу после имплантации ип \ \ I \|/\|/ \/i\V\ \/ \/ \/ w ' и кр а) в) Рис. 5.7. Схематическая иллюстрация подавления твердофазного эпитаксиального роста (ТФЭР) и развития альтернативного (поликристаллического) процесса роста при высоких концентрациях легирующей примеси: ^ — после имплантации; б — во время перекристаллизации; б — после перекристаллизации; ^—-профиль имплантированной примеси, 2 — апитаксия плохого качества; 3 — эпитаксия хорошего качества; 4 — зародыши поликристалла; 5 — высокая концентрация легирующей примеси (выделения); 5 — граница кристалл — аморфная фаза; ЯЯ —ионный пучок; Si^^ ~ аморфный кремний; Зід^р — нижележащий кристалл; Si^^^p — поликристалл кремния 147
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 145 146 147 148 149 150 151... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
