Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 144 145 146 147 148 149 150... 423 424 425
|
|
|
|
ется к пределу равновесной растворимости или превосходит его, быстро уменьшается. В качестве примера на рис. 5.4 приведены результаты исследования перекристаллизации кремния с ориентацией 100 при имплантации ионов мышьяка. Энергия ионов равнялась 50 кэВ, а доза ионов 10^^ см~^ [18]. На рис. 5.4, а приведены спектры каналирования высокого разрешения, иллюстрируюпдие кинетику изотермического отжига при 505°С. На рис. 5.4, б приведены локальные скорости перекристаллизации, реализующиеся по мере перемещения фронта перекристаллизации вдоль имплантированной области. Данные получены на основе зависимостей рис. 5.4, а. Хорошо видно, что при концентрации мышьяка ниже 1,5Х ХЮ^^ см-з (хвост распределения) скорость перекристаллизации выше, чем в свободном от примесей кремнии (зависимость, показанная штриховой кривой). Однако как только концентрация мышьяка превышает величину 1,5-10^^ см~^, скорость перекристаллизации быстро уменьшается и при концентрации 2,5-10^^ см-^ оказывается на порядок меньше, чем для чистого кремния. Интересно отметить, что предел равновесной растворимости мышьяка в кремнии равен 1,5-102^ см"^. Еще один пример замедления скорости перекристаллизации при высоких концентрациях легирующей примеси приведен на рис. 5.5 для случая легирования кремния теллуром [19]. В сравнении со свободным от примесей кремнием, легирование до концентрации ионов --^7-10^^ см-з увеличивает скорость перекристаллизации, а большие концентрации примеси вызывают ее уменьшение. Тип и концентрация имплантируемой примеси оказывают большое влияние не только на скорость перекристаллизации, но и на качество структуры перекристаллизованного слоя. В качестве примера несовершенной перекристаллизации на рис. 5.6 приведены спектры обратного рассеяния, полученные на монокристалле кремния с ориентацией 100 после имплантации меди с энергией 70 кэВ до дозы ионов 2-10^^ см-^ [20]. Как видно из анализа спектров, при отжиге с температурой 600°С твердофазный эпитаксиальный рост полностью тормозится, в этом случае в поверхностных слоях происходит образование поликристаллической структуры. Аналогичное изменение структуры кремния с ориентацией 100 наблюдалось при имплантации умеренных количеств (^ 1 * 10^^ см-2) других малорастворимых ионов, например, серебра, свинца, ионов некоторых инертных газов [16, 17, 21—23]. Представляется интересным сравнить эти результаты с данными по отжигу слоев, легированных большими дозами хорошо растворимой примеси. Для этого вернемся еще раз к рис. 5.4, на котором приведены результаты исследования кремния ионно-легированного мышьяком до дозы ионов 10^^ см-2. Как можно видеть, полная эпитак-сия происходит после отжига при температуре 600°С (штриховой спектр). Однако, как показано в работе [24], увеличение дозы легирования мышьяком до 10^^ см-2 (пиковая концентрация 28%) при той же ориентации кремния и отжиге с температурой 600°С приво 146
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 144 145 146 147 148 149 150... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
