Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 143 144 145 146 147 148 149... 423 424 425
|
|
|
|
ляющегося нейтральной примесью) не оказывает заметного влияния на скорость перекристаллизации. Ниже рассмотрим модель, объясняющую влияние легирующих примесей на скорость перекристаллизации. Как уже отмечалось, образовавшийся при эпитаксиальном росте на свободной от примесей подложке кремния с ориентацией (111) перекристаллизационный слой насыщен двойниками и другими дефектами кристаллического строения. Введение небольших добавок малорастворимых примесей, например инертных газов или свинца [18, 19], может приводить к резкому торможению эпитаксиального роста и преобладанию альтернативного (поликристаллического) характера роста. Эффект связывается с инициированием роста поликристаллов на образовавшихся при имплантации в аморфном слое выделениях второй фазы и агломератах. Подобные процессы более характерны при имплантации больших доз и подробней будут рассмотрены в следующем разделе. На пластинах кремния с ориентацией (100) в отличие от пластин с ориентацией (111) имплантация небольших доз примесных атомов (менее 1%) обеспечивает формирование перекристаллизованного слоя хорошего качества. Имплантация больших доз ионов. Если концентрация имплантированной примеси превышает 1% (область малых концентраций рассматривалась в предыдущем подпараграфе), то кинетика перекристаллизации существенно усложняется. Наблюдающееся на рис. 5.3 почти линейное увеличение скорости перекристаллизации с ростом концентрации примесных атомов не характерно для области больших концентраций. Результаты недавних исследований [18, 19] подтвердили, что скорость перекристаллизации достигает максимума, а затем, если концентрация примеси приближа Рис. 5 4: й — спектры обратного рассеяния кремния с ориентацией 100, имплантированного ионами мышьяка энергией 50 кэВ Доза легирования М01" см-2. Набор кривых соответствует временам изотермического отжига. О, 5, 15, 30 и 45 мин. Одинарные и двойные стрелки указывают на добавочный десятиминутный отжиг при температуре соответственно 550 и 565°С, а штриховая кривая — на окончательный десятиминутный отжиг пря температуре бОО^'С. Сверху" на горизонтальной оси показана глубина ft; б—зависимость скорости перекристаллизации v при температуре SOS^C от глубины h. Для сравнения (справа) показан концентрационный профиль имплантированных атомов мышьяка. Штриховая линия соответствует скорости перекристаллизации при 505°С кремния, имплантированного кремнием (отсутствие примесных/7, атомов) [18] М 800 600 Ш 200 CasJO'W^ 230 240 250 260 210 280 290 п 30 го 10 505Х 3 г I 1 1 I ) ) ч bill. 0 А WOO 600 600 т 200 0 б) 145
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 143 144 145 146 147 148 149... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
