Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 142 143 144 145 146 147 148... 423 424 425
|
|
|
|
исследования [14, 15] показали, что наибольшее влияние на ускорение перекристаллязадяи производят ионы бора. При равных концентрациях скорость роста оказывается примерно в 2,5 раза выше, чем при легировании фосфором и мышьяком, а энергия активации процесса несколько ниже, чем для нелегированного кремния. Кроме того, сильное влияние на скорость перекристаллизации оказывает концентрация примеси на границе роста кристаллической фазы. Приведенные выше данные показывают, что электрически активные неглубокие примесные уровни ри п-типа в кремнии усиливают скорость перекристаллизации. Более поздние эксперименты приводят к выводу о наличии компенсирующего эффекта при совместном легировании примесями ри п-типа. В результате скорость перекристаллизации возвращается к значениям, характерным для нелегированного кремния (16]. Эффект иллюстрируется рис. 5.3, на котором приведены результаты, полученные при совместном легировании пластины кремния с ориентацией (100) ионами мышьяка As и бора ^^В (рис. 5.3, а), а также мышьяка '^^As и фосфора (рис. 5.3, б). Как видно на рис. 5.3, а, в тех областях, где концентрации мышьяка и бора примерно равны, скорость перекристаллизации невелика (и близка к соответствующему значению для нелегированного образца). Наоборот, как следует из рис. 5.3, б, при совместном легировании ионами фосфора и мышьяка (оба относятся к п-типу) наблюдается ускорение перекристаллизации по сравнению со случаем легирования одним мышьяком. Следует также отметить, что согласно {17] для пластины кремния с ориентацией 100) легирование небольшим количеством ионов германия (яв 200 300 т 500 600 700 800 а) CJOV 1 2 3 —1-\-1 ^1 1 l_L I 1 f 1 1 1 ЮО гоо 300 Ш f.MUH Рис. 5.3. Толщина аморфного слоя h в зависимости от времени отжига t при 475°С пластин ионно-легированного кремния с ориентацией 100. На рисунках приведены также расчетные зависимости для концентрационных профилей мышьяка 1 и бора 2 или фосфора 5. Сверху на рисунках показана концентрация примесных атомов С: й — легирование ионами "As н і"В {4); б — легирование ионами ^^As и зір (в); 3 — легирование только ионами мышьяка; ЯГ—исходная граница раздела аморфной и кристаллической фаз; Я — поверхность 144
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 142 143 144 145 146 147 148... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
